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Characterization of AlGaN on GaN template grown by MOCVD - art. no. 68410K
会议论文
OAI收割
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Yan, JC
;
Wang, JX
;
Liu, NX
;
Liu, Z
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/03/09
AlGaN
GaN template
A1N interlayer
MOCVD
crack
interference fringes
Characterization and photoluminescence of AIN : Eu films
期刊论文
OAI收割
Optical Materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 8-9, 页码: 1029-1036
F. S. Liu
;
H. W. Dong
;
Q. L. Liu
;
J. K. Liang
;
J. Luo
;
Y. Zhang
;
L. T. Yang
;
G. H. Rao
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提交时间:2012/04/13
luminescence
semiconductor
A1N : Eu film
red-light emission
aln thin-films
doped gan
visible emission
tb
ions
er
nitride
electroluminescence
cathodoluminescence
voltage
Characteristics and polarization-enhanced model of wurtzite aluminum nitride thin films synthesized on Si(100) substrates by pulsed laser deposition
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2003, 卷号: 94, 期号: 3, 页码: 1934-1940
An, ZH
;
Men, CL
;
Yu, J
;
Chu, PK
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
EPITAXIAL-GROWTH
ALN FILMS
ROOM-TEMPERATURE
A1N FILMS
SAPPHIRE
HETEROSTRUCTURES
MORPHOLOGY
ABLATION
SI(111)
球磨诱发AlN陶瓷微观结构的演变
期刊论文
OAI收割
金属学报, 2001, 期号: 3, 页码: 230-234
杨志卿,贺连龙,金志雄,叶恒强
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提交时间:2012/04/12
球磨
A1N
微观结构演变