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采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2019 [1]
• 2014 [1]
• 2013 [1]
• 2011 [2]
• 2005 [1]

学科主题

• Chemistry;... [1]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Favorable growth of well-crystallized layered hybrid perovskite by combination of thermal and solvent assistance 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF POWER SOURCES, 2019, 卷号: 422, 页码: 156-162 作者:  Xue, Caiyun;  Shi, Yantao;  Zhang, Chunyang;  Lv, Yanping;  Feng, Yulin   |  收藏  |  浏览/下载：166/0  |  提交时间：2019/06/20 2D perovskite solar cells  Flat-casting  Post-annealing  Crystallinity  Ambient stability   Influence of post-annealing ambient on the superconducting properties and microstructure of YBa_2Cu_3O_7-δ films 会议论文  OAI收割 The 29th International Symposium on Rarefied Gas Dynamics, 中国陕西西安, 2014-07-13 作者:  Wang LH(王连红);  Liu C(刘崇);  Fan J(樊菁) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2015/09/10 annealing  films  YBCO  amorphous  ambient  themselves  evaporation  fabricate  annealed  hence   The separation of recrystallization and precipitation processes in a cold-rolled Al-Mg-Sc solid solution 期刊论文  OAI收割 Scripta Materialia, 2013, 卷号: 68, 期号: 8, 页码: 587-590 W. Yang; D. S. Yan; L. J. Rong 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2013/12/24 Aluminium alloys  Recrystallization  Precipitation  Annealing  Hardness  test  aluminum-alloys  elevated-temperatures  mechanical-properties  scandium  zr  microstructure  behavior  kinetics  ambient  ecap   Annealing ambient on the evolution of He-induced voids in silicon 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 卷号: 257, 期号: 16, 页码: 7036-7040 作者:  Zhang, C. H.;  Zhang, L. Q.;  Zhang, H. H.;  Zhang, Y.;  Han, L. H.   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2015/10/15 Silicon  Positron annihilation  Void  Annealing ambient  TEM   Annealing ambient on the evolution of He-induced voids in silicon 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 卷号: 257, 期号: 16, 页码: 7036-7040 作者:  Li, BS;  Zhang, CH;  Zhong YR(钟玉荣);  Wang DN(王丹妮);  Zhong, YR 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/06/29 Silicon  Positron annihilation  Void  Annealing ambient  TEM   Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects 会议论文  OAI收割 17th international conference on indium phosphide and related materials, glasgow, scotland, may 08-12, 2005 Zhao, YW; Dong, ZY 收藏  |  浏览/下载：235/68  |  提交时间：2010/03/29 ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP  SEMICONDUCTOR COMPOUND-CRYSTALS  STIMULATED CURRENT SPECTROSCOPY  CURRENT TRANSIENT SPECTROSCOPY  DEEP-LEVEL DEFECTS  ANNEALING AMBIENT  POINT-DEFECTS  FE  PHOSPHIDE  DONORS