机构

• 高能物理研究所 [2]
• 过程工程研究所 [1]
• 中国科学院大学 [1]

采集方式

• iSwitch采集 [2]
• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2019 [1]
• 2017 [2]
• 2016 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 High reactivity and sintering resistance of CH4 oxidation over modified Pd/Al2O3 期刊论文  OAI收割 CATALYSIS COMMUNICATIONS, 2019, 卷号: 119, 页码: 86-90 作者:  Cui, Wenhao;  Li, Shuangde;  Wang, Dongdong;  Deng, Yuzhou;  Chen, Yunfa   |  收藏  |  浏览/下载：93/0  |  提交时间：2019/04/03 Pd/Al2O3  Hydrophobic modification  ALD modification  Methane catalytic oxidation  Sintering resistance   Interface chemistry study of insb/al2o3 stacks upon in situ post deposition annealing by synchrotron radiation photoemission spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2017, 卷号: 425, 页码: 932-940 作者:  Shi, Xiaoran;  Wang, Xinglu;  Sun, Yong;  Liu, Chen;  Wang, WeiHua 收藏  |  浏览/下载：209/0  |  提交时间：2019/04/23 Insb/al2o3 stacks  Ald  Pda  Synchrotron radiation  Diffusion  Desorption   Interface chemistry study of InSb/Al2O3 stacks upon in situ post deposition annealing by synchrotron radiation photoemission spectroscopy 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017, 卷号: 425, 页码: 932-940 作者:  Liu C(刘晨);  Wang, WH;  Cheng, YH;  Wang, WC;  Wang, JU   |  收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2019/08/27 InSb/Al2O3 stacks  ALD  PDA  Synchrotron radiation  Diffusion  Desorption   Passivation effect of atomic layer deposition of al2o3 film on hgcdte infrared detectors 期刊论文  iSwitch采集 Journal of electronic materials, 2016, 卷号: 45, 期号: 9, 页码: 4716-4720 作者:  Zhang, Peng;  Ye, Zhen-Hua;  Sun, Chang-Hong;  Chen, Yi-Yu;  Zhang, Tian-Ning 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2019/05/09 Ald al2o3  Minority carrier lifetime  C-v characteristics  R-v characteristics  Baking stability