机构

• 光电技术研究所 [7]
• 合肥物质科学研究院 [4]
• 宁波材料技术与工程研... [3]
• 半导体研究所 [3]
• 中国科学院大学 [2]
• 上海技术物理研究所 [2]
• 更多

采集方式

• OAI收割 [23]
• iSwitch采集 [4]

内容类型

• 期刊论文 [25]
• 专利 [2]

发表日期

• 2022 [1]
• 2018 [1]
• 2017 [3]
• 2016 [4]
• 2015 [3]
• 2014 [2]
• 更多

学科主题

• Annealing ... [1]
• Annealing ... [1]
• Materials ... [1]
• Polymer Sc... [1]
• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]
• 更多

筛选

浏览/检索结果: 共27条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Understanding efficiency improvements of betavoltaic batteries based on 4H-SiC, GaN, and diamond 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2022, 卷号: 121, 期号: 10, 页码: 8 作者:  R. Z. Zheng;  J. B. Lu;  Y. Wang;  Z. Y. Chen;  X. Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2023/06/14 Electron-selective quinhydrone passivated back contact for high-efficiency silicon/organic heterojunction solar cells 期刊论文  OAI收割 SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2018, 卷号: 185, 页码: 218-225 作者:  Zou, Ziyu;  Liu, Weiqing;  Wang, Dan;  Liu, Zhaolang;  Jiang, Ershuai   |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2018/12/04 Silicon Surfaces  Rear Contacts  Spectroscopy  Temperature  Pedotpss  Si(111)   Identifying defect energy levels using dlts under different electron irradiation conditions 期刊论文  iSwitch采集 Nuclear science and techniques, 2017, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Guo, Chun-Sheng;  Wang, Ruo-Min;  Zhang, Yu-Wei;  Pei, Guo-Xi;  Feng, Shi-Wei 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/04/23 Electron irradiation  Deep level transient spectroscopy (dlts)  Minority carrier life time  Silicon diode   Effect of Sn doping on improvement of minority carrier lifetime of Fe contaminated p-type multi-crystalline Si ingot 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 卷号: 458, 期号: 无, 页码: 66-71 作者:  Sun, Jifei;  He, Qiuxiang;  Ban, Boyuan;  Bai, Xiaolong;  Li, Jingwei   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/11/23 Minority Carrier Lifetime  Doping  Impurities  Directional Solidification  Multi-crystalline Si   Measuring the Minority-Carrier Diffusion Length of n-Type In0.53Ga0.47As Epilayers Using Surface Photovoltage 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 2017, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 2061-2066 作者:  Li P;  Tang HJ;  Li T;  Li X;  Shao XM   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/11/20 SOLAR-CELLS  LIFETIME  SILICON  INGAAS   Phosphorous diffusion gettering of n-type cz silicon wafers for improving the performances of silicon heterojunction solar cells 期刊论文  iSwitch采集 Solar energy materials and solar cells, 2016, 卷号: 157, 页码: 74-78 作者:  Zhu, Fangzhou;  Wang, Dongliang;  Bian, Jiantao;  Liu, Jinning;  Liu, Zhengxin 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/09 Phosphorus diffusion gettering  N-type silicon wafer  Minority carrier lifetime  Heterojunction solar cell   Improved PEDOT:PSS/c-Si hybrid solar cell using inverted structure and effective passivation 期刊论文  OAI收割 SCIENTIFIC REPORTS, 2016, 卷号: 6 作者:  Liu, Shengzhong (Frank);  Guo, Xiaojia;  Liu, Bin;  Ren, Xiaodong;  Zhang, Xisheng   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/06/20 Passivation effect of atomic layer deposition of al2o3 film on hgcdte infrared detectors 期刊论文  iSwitch采集 Journal of electronic materials, 2016, 卷号: 45, 期号: 9, 页码: 4716-4720 作者:  Zhang, Peng;  Ye, Zhen-Hua;  Sun, Chang-Hong;  Chen, Yi-Yu;  Zhang, Tian-Ning 收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2019/05/09 Ald al2o3  Minority carrier lifetime  C-v characteristics  R-v characteristics  Baking stability   掺Sn对定向凝固多晶硅位错及少子寿命的影响 期刊论文  OAI收割 人工晶体学报, 2016, 卷号: 45 作者:  何秋湘;  李京伟;  孙继飞;  白枭龙;  熊震   |  收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2020/11/25 位错  少子寿命  多晶硅  定向凝固   Design High-Efficiency III–V Nanowire/Si Two-Junction Solar Cell 期刊论文  OAI收割 Nanoscale Research Letters, 2015, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 1-5 作者:  Wang,Y;  Zhang,Y;  Zhang,D;  He,S;  Li,X   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/02/27 Two-junction solar cells  Nanowire  Current matching  Photovoltaics