机构

• 上海微系统与信息技术... [2]
• 合肥物质科学研究院 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2016 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [1]

学科主题

• Physics, M... [2]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Temperature-dependent electrical transport mechanism in amorphous Ge2Sb2Te5 films 期刊论文  OAI收割 PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2016, 卷号: 253, 期号: 9, 页码: 1855-1860 作者:  Wu, H. Y.;  Wang, W.;  Lu, W. J. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2017/11/21 Amorphous Ge2sb2te5  Electrical Transport  Phase Change Memories  Variable Range Hopping   Si1Sb2Te3 phase change material for chalcogenide random access memory 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS, 2007, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 2475-2478 Zhang, T; Song, ZT; Liu, B; Liu, WL; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/03/24 OVONIC UNIFIED MEMORY  AMORPHOUS THIN-FILMS  OPTICAL DISK  RESISTANCE MEASUREMENTS  ELECTRICAL-PROPERTIES  GE2SB2TE5 FILM  TE GLASSES  CRYSTALLIZATION  IMPLANTATION  BEHAVIOR   Total dose radiation tolerance of phase change memory cell with GeSbTe alloy 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2557-2559 Wu, LC; Liu, B; Song, ZT; Feng, GM; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/03/24 AMORPHOUS THIN-FILMS  RANDOM-ACCESS MEMORY  GE2SB2TE5 FILMS  ELECTRICAL-PROPERTIES  NONVOLATILE  GE20TE80-XBIX  IMPLANTATION  TEMPERATURE  TRANSITION