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直流Ar/CO2电弧等离子体射流特性研究 学位论文  OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2024
作者:  
张晖
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短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  
宁锦华
  |  收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。  
基于压阻检测的双端固支硅纳米梁研究 学位论文  OAI收割
硕士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  , 2007
赵全斌  
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AMC7820在微流控芯片电泳系统中的应用 期刊论文  OAI收割
现代科学仪器, 2006, 期号: 02
朱海兵; 金庆辉; 张华; 刘菁; 庄贵生
收藏  |  浏览/下载:44/0  |  提交时间:2012/01/06
基于压阻检测的双端固支硅纳米梁谐振特性研究 会议论文  OAI收割
传感技术学报, 2006
赵全斌; 焦继伟; 杨恒; 林梓鑫; 李铁; 张颖; 王跃林
收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2012/01/18
创新一号小卫星星载计算机控制系统设计 期刊论文  OAI收割
计算机工程, 2006, 期号: 18
王平; 孙宁; 李华旺; 包海超; 尹增山; 刘海涛
收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2012/01/06
氩离子注入单晶硅表面的微观结构和微观力学性能研究 期刊论文  OAI收割
无机材料学报, 2005, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 759-763
作者:  
寇冠涛;  薛群基
收藏  |  浏览/下载:44/0  |  提交时间:2014/03/03
反应离子刻蚀铝中nMOS器件的等离子充电损伤 期刊论文  OAI收割
电子工业专用设备, 2005, 卷号: 34, 期号: 4, 页码: 6,43-47,64
作者:  
李俊峰;  杨建军;  钟兴华;  海潮和
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氧等离子气氛中NMOS器件的性能退化 期刊论文  OAI收割
微电子学与计算机, 2005, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 4,1-4
作者:  
韩郑生;  海潮和;  李俊峰;  钟兴华;  杨建军
  |  收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2010/05/26