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	直流Ar/CO2电弧等离子体射流特性研究学位论文 OAI收割北京: 中国科学院大学, 2024 作者: 张晖 \| 收藏 \| 浏览/下载：15/0 \| 提交时间：2024/07/03 Ar/CO2 等离子体热力学性质光谱诊断射流特性
	短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究学位论文 OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者: 宁锦华 \| 收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2012/08/22 由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作探测率高等优点 Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器通过最终性能的比较评价得出较好的台面成型方式为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉铟基材料的刻蚀需要对样品加热在此温度下光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说采用pecvd生长sinx 选择边缘平整的光刻板用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器平均刻蚀速率过快同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离提高刻蚀速率相比较ar气 N2的物理轰击力小对材料造成的损伤小同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx 在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型能得到刻蚀速率稳定可控刻蚀后的表面光洁无残留物图形保真度好。在不同的直流偏压 Icp功率气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型并从刻蚀速率刻蚀垂直度刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下 Icp具有图形保真度好刻蚀速率稳定可控的优点因而更适用于ingaas探测器的工程制作特别在小光敏元探测器的制备中 Icp的优势将更明显。
	基于压阻检测的双端固支硅纳米梁研究学位论文 OAI收割硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） , 2007 赵全斌收藏 \| 浏览/下载：40/0 \| 提交时间：2012/03/06 微纳机电系统双端固支硅纳米梁压阻检测 Ar离子注入谐振特性
	AMC7820在微流控芯片电泳系统中的应用期刊论文 OAI收割现代科学仪器, 2006, 期号: 02 朱海兵; 金庆辉; 张华; 刘菁; 庄贵生收藏 \| 浏览/下载：44/0 \| 提交时间：2012/01/06 干法刻蚀感应耦合等离子体 GaN 刻蚀速率 Cl_2/He Cl_2/Ar
	基于压阻检测的双端固支硅纳米梁谐振特性研究会议论文 OAI收割传感技术学报, 2006 赵全斌; 焦继伟; 杨恒; 林梓鑫; 李铁; 张颖; 王跃林收藏 \| 浏览/下载：31/0 \| 提交时间：2012/01/18 双端固支硅纳米梁压阻检测 Ar离子轰击谐振特性
	创新一号小卫星星载计算机控制系统设计期刊论文 OAI收割计算机工程, 2006, 期号: 18 王平; 孙宁; 李华旺; 包海超; 尹增山; 刘海涛收藏 \| 浏览/下载：28/0 \| 提交时间：2012/01/06 双端固支硅纳米梁压阻检测 Ar离子轰击谐振特性
	氩离子注入单晶硅表面的微观结构和微观力学性能研究期刊论文 OAI收割无机材料学报, 2005, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 759-763 作者: 收藏 \| 浏览/下载：44/0 \| 提交时间：2014/03/03 单晶硅氩离子注入纳米划痕断裂韧性 single-crystal silicon Ar+ implantation nano-scratch fracture toughness
	反应离子刻蚀铝中nMOS器件的等离子充电损伤期刊论文 OAI收割电子工业专用设备, 2005, 卷号: 34, 期号: 4, 页码: 6，43-47,64 作者: 李俊峰; 杨建军; 钟兴华; 海潮和 \| 收藏 \| 浏览/下载：20/0 \| 提交时间：2010/05/26 等离子充电损伤栅隧穿漏电流阈值vt漂移亚阈值特性天线比（ar）
	氧等离子气氛中NMOS器件的性能退化期刊论文 OAI收割微电子学与计算机, 2005, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 4,1-4 作者: 韩郑生; 海潮和; 李俊峰; 钟兴华; 杨建军 \| 收藏 \| 浏览/下载：18/0 \| 提交时间：2010/05/26 等离子剥离（干法去胶）天线比（ar）栅漏电流密度闯值漂移电流应力时间测试