机构

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采集方式

• OAI收割 [6]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2019 [2]
• 2018 [1]
• 2017 [1]
• 2009 [2]
• 2003 [1]

学科主题

• Materials ... [1]
• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Highly in-plane anisotropic 2D semiconductors beta-AuSe with multiple superior properties: a first-principles investigation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2019, 卷号: 31, 期号: 39 作者:  Gong, Peng-Lai;  Zhang, Fang;  Li, Liang;  Deng, Bei;  Pan, Hui   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/18 BLACK PHOSPHORUS  ELECTRON LOCALIZATION  CARRIER MOBILITY  CRYSTAL  STRAIN  PHASE  GAP   Temperature-dependent photoluminescence characterization of compressively strained AlGaInAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 Materials Research Bulletin, 2019, 卷号: 115, 页码: 196-200 作者:  Y.Song;  L.G.Zhang;  Y.G.Zeng;  Y.Y.Chen;  L.Qin   |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2020/08/24 Al0.07Ga0.22In0.71As quantum wells,Optical properties,Metal organic,chemical vapor deposition,Photoluminescence,Full width at half maximum,thermal-expansion,carrier localization,gaas,scattering,origin,model,shift,Materials Science   Multiple Angle Analysis of 30-MeV Silicon Ion Beam Radiation Effects on InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Blue Light-Emitting Diodes 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 11, 页码: 2784-2792 作者:  Liu, Ningyang;  Wang, Lei;  Song LG(宋力刚);  Cao XZ(曹兴忠);  Wang BY(王宝义)   |  收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2019/10/11 Atom displacement  carrier removal effect  carrier ultrafast dynamics  GaN  indium localization  light-emitting diodes (LEDs)  nonradiative recombination centers (NRCs)  positron annihilation spectroscopy (PAS)  silicon ion irradiation  strain relaxation   First-principles study on the electronic, optical, and transport properties of monolayer alpha- and beta-GeSe 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2017, 卷号: 96, 期号: 24 作者:  Li, Jing;  Ni, Gang;  Shao, Hezhu;  Zhang, Hao;  Lu, Hongliang   |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2018/12/04 Carrier Mobility  Theoretical Prediction  Thermal-conductivity  Black Phosphorus  Hole Mobility  Graphene  Carbon  Semiconductor  Localization  Nanoribbons   Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in inn films grown by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420 作者:  Zhang Zeng;  Zhang Rong;  Xie Zi-Li;  Liu Bin;  Xiu Xiang-Qian 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/05/12 Inn  Dislocation  Carrier origination  Localization   Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420 作者:  Li Y;  Chen P;  Jiang DS;  Wang H;  Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：62/4  |  提交时间：2010/03/08 InN  dislocation  carrier origination  localization   Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of GaInAs/GaNAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2010/08/12 interdiffusion  post-annealing  quantum wells  GaInNAs/GaAs  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CARRIER LOCALIZATION  GAINNAS  LUMINESCENCE  ORIGIN  GAASN