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物理研究所 [2]
宁波材料技术与工程研... [1]
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2021 [1]
2012 [1]
2000 [1]
1995 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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Ga-doped Czochralski silicon with rear p-type polysilicon passivating contact for high-efficiency p-type solar cells
期刊论文
OAI收割
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2021, 卷号: 230
作者:
Zhi, Yuyan
;
Zheng, Jingming
;
Liao, Mingdun
;
Wang, Wei
;
Liu, Zunke
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2021/12/01
LIGHT-INDUCED DEGRADATION
CRYSTALLINE SILICON
BORON
DIFFUSION
Influence of Si Co-doping on electrical transport properties of magnesium-doped boron nanoswords
期刊论文
OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 100, 期号: 10
Tian, Y
;
Lu, HL
;
Tian, JF
;
Li, C
;
Hui, C
;
Shi, XZ
;
Huang, Y
;
Shen, CM
;
Gao, HJ
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2013/09/17
BETA-RHOMBOHEDRAL BORON
CRYSTALLINE BORON
RICH SOLIDS
ELECTRONIC-PROPERTIES
SUPERCONDUCTIVITY
CONDUCTIVITY
NANOWIRES
INTERBAND
STATES
MG
1.5 mu m luminescence characteristic of erbium in B, P doped a-SiO : H films
期刊论文
OAI收割
chinese physics, 2000, 卷号: 9, 期号: 10, 页码: 783-786
Liang JJ
;
Chen WD
;
Wang YQ
;
Chang Y
;
Wang ZG
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
erbium
photoluminescence
a-SiO : H
boron and phosphorus co-doping
CRYSTALLINE SI
SILICON
ELECTROLUMINESCENCE
ER
GETTERING EFFECTS IN BF2-IMPLANTED SI(100) BY ION-BEAM DEFECT ENGINEERING
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1995, 卷号: 77, 期号: 10, 页码: 5014
ZHAO, QT
;
WANG, ZL
;
CAO, YM
;
XU, TB
;
ZHU, PR
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/09/17
IMPLANTED SILICON
ANOMALOUS DIFFUSION
FLUORINE
BORON
CRYSTALLINE
REDUCTION
ENERGY