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采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2018 [1]
• 2015 [1]
• 2014 [1]
• 1997 [1]

学科主题

• Physics, A... [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Multiple Angle Analysis of 30-MeV Silicon Ion Beam Radiation Effects on InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Blue Light-Emitting Diodes 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 11, 页码: 2784-2792 作者:  Liu, Ningyang;  Wang, Lei;  Song LG(宋力刚);  Cao XZ(曹兴忠);  Wang BY(王宝义)   |  收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2019/10/11 Atom displacement  carrier removal effect  carrier ultrafast dynamics  GaN  indium localization  light-emitting diodes (LEDs)  nonradiative recombination centers (NRCs)  positron annihilation spectroscopy (PAS)  silicon ion irradiation  strain relaxation   Investigation of InGaAsP solar cells grown by solid-state molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2015, 卷号: 137, 页码: 5 作者:  Ji, L(季莲);  Tan, M(谭明);  Honda, K;  Harasawa, R;  Yasue, Y 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2015/12/31 InGaAsP  Molecular beam epitaxy  Solar cell  Quantum efficiency  Carrier recombination dynamics   Carrier recombination dynamics of MBE grown InGaAsP layers with 1 eV bandgap for quadruple-junction solar cells 期刊论文  OAI收割 SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2014, 卷号: 127, 期号: 0, 页码: 1-5 作者:  Bian LF(边历峰);  Yang H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2014/12/02 InGaAsP  Molecular beam epitaxy  Solar cell  Carrier recombination dynamics   Characterization of photoluminescence intensity and efficiency of free excitons in semiconductor quantum well structures 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1997, 卷号: 82, 期号: 8, 页码: 3870-3873 Jin, SR; Zheng, YL; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/25 CARRIER CAPTURE  RECOMBINATION  DYNAMICS  HETEROSTRUCTURES  LASERS  LAYERS