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内容类型

• 期刊论文 [21]
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发表日期

• 2014 [1]
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学科主题

• 光电子学 [2]
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浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Observation of etch pits in Fe-36wt%Ni Invar alloy 期刊论文  OAI收割 International Journal of Minerals Metallurgy and Materials, 2014, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 682-686 D. Z. Lu; M. J. Wu 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2015/01/14 Invar alloy  dislocations  etch pit technique  alloying elements  dislocation density  gan  reduction   Recent progress of GaN growth on maskless chemical-etched grooved sapphire substrate 期刊论文  OAI收割 ENERGY & ENVIRONMENTAL SCIENCE, 2011, 卷号: 4, 期号: 8, 页码: 2625 Jiang, Y; Jia, HQ; Wang, WX; Wang, L; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/24 LATERAL EPITAXIAL OVERGROWTH  VAPOR-DEPOSITION  DENSITY GAN  WING-TILT  FILMS  DEVICES   Half-metallic ferromagnetism in C-doped ZnS: Density functional calculations 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 15 S. W. Fan; K. L. Yao; Z. L. Liu 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/04/13 APW calculations  carbon  density functional theory  electronic  structure  exchange interactions (electron)  ferromagnetic materials  II-VI semiconductors  magnetic moments  magnetic semiconductors  zinc  compounds  thin-films  semiconductors  gan   Structural, thermodynamic and electronic properties of zinc-blende AlN from first-principles calculations 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics B, 2009, 卷号: 18, 期号: 3, 页码: 1207-1213 W. Zhang; Y. Cheng; J. Zhu; X. R. Chen 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/04/13 local density approximation (LDA)  thermodynamic properties  band  structure  AlN  iii-v nitrides  elastic-constants  molecular-dynamics  ab-initio  gan  phase  pressure  inn  bn  semiconductors   First-principles calculations of ethanethiol adsorption and decomposition on GaN (0001) surface 期刊论文  OAI收割 Applied Surface Science, 2008, 卷号: 254, 期号: 20, 页码: 6514-6520 C. L. Hu; Y. Chen; J. Q. Li and Y. F. Zhang 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2013/01/22 GaN (0001) surface  ethanethiol  DFT  adsorption  packing structure  thermal decomposition  self-assembled monolayers  bare semiconductor surfaces  density-functional theory  au(111)  molecules  chemisorption  interface  sulfur  energy   Trap induced slow photoresponse of single CdS nanoribbons 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2008, 卷号: 17, 期号: 8, 页码: 3103 Wang, FF; Wang, C; Cheng, K; Zou, BS 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/23 ZNO FILMS  PHOTOCONDUCTIVITY TRANSIENTS  NANOWIRE TRANSISTORS  CARBON NANOTUBES  PHOTOLUMINESCENCE  DENSITY  GAN  FABRICATION   First-principle calculations of elastic properties of Wurtzite-type aluminum nitride under pressure 期刊论文  OAI收割 Communications in Theoretical Physics, 2008, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 489-492 Y. L. Wang; H. L. Cui; B. R. Yu; X. R. Chen 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/04/13 density functional theory  elastic properties  w-AlN  rock-salt-type  thermodynamic properties  electronic-structure  aln  constants  crystals  zincblende  inn  gan  instabilities   Electronic and Optical Properties of Rock-Salt AlN under High Pressure via First-Principles Analysis 期刊论文  OAI收割 Communications in Theoretical Physics, 2008, 卷号: 50, 期号: 4, 页码: 990-994 W. Zhang; X. R. Chen; L. C. Cai; Q. Q. Gou 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/04/13 semiconductors  electronic band structure  optical properties  density  functional theory  aluminum nitride  wurtzite  zincblende  gan  films  inn   Enhanced performance of p-GaN by Mg delta doping 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 卷号: 304, 期号: 1, 页码: 7-10 作者:  Zhang SM;  Liu JP;  Wang HB（王怀兵） 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/01/15 delta doping  dislocation density  hole concentration  LED  GaN  MOCVD   Photon-assisted electronic structure and transport for a quantum dot 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 7, 页码: 2106-2110 W. H. Liao; Q. X. Gao; G. H. Zhou 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/04/13 quantum dot  laser field  density of states  nonequilibrium Green  functions  tunneling current  excited-state  ground-state  laser-field  side-band  wire  well  superlattices  gan