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OAI收割 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
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2020 [1]
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1998 [3]
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Relationship between microstructure and mechanical properties of friction stir processed AISI 316L steel produced by selective laser melting
期刊论文
OAI收割
MATERIALS CHARACTERIZATION, 2020, 卷号: 163
作者:
Peng, Pai
;
Wang, Kuaishe
;
Wang, Wen
;
Han, Peng
;
Zhang, Ting
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2020/12/16
AUSTENITIC STAINLESS-STEEL
STACKING-FAULT ENERGY
CRACK GROWTH-BEHAVIOR
SUB-GRAIN STRUCTURE
DISLOCATION DENSITIES
HEAT-TREATMENT
HIGH-STRENGTH
DEFORMATION
ALLOY
EVOLUTION
Effect of surface treatment of GaN based light emitting diode wafers on the leakage current of light emitting diode devices
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: art. no. 017307
作者:
Zhang SM
;
Wang LJ
;
Wang YT
;
Yang H
;
Wang LJ
收藏
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浏览/下载:207/3
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提交时间:2010/04/05
GaN
light emitting diode
surface treatment
leakage current
THREADING DISLOCATION DENSITIES
LAYERS
NI/AU
LEDS
Transmission electron microscopy study of triple-ribbon contrast features in a ZnTe epitaxial layer
期刊论文
OAI收割
PHILOSOPHICAL MAGAZINE LETTERS, 1998, 卷号: 78, 期号: 3, 页码: 203
Han, PD
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/09/23
THREADING DISLOCATION DENSITIES
II-VI COMPOUNDS
MISFIT DISLOCATIONS
SEMICONDUCTORS
ORIGIN
FILMS
Growth and mosaic model of GaN grown directly on 6H-SiC(0001) by direct current plasma assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 28-32
Yang, QK
;
Li, AZ
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Yang, B
;
Brandt, O
;
Ploog, K
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2012/03/25
DISLOCATION DENSITIES
Transmission electron microscopy study of triple-ribbon contrast features in a ZnTe epitaxial layer
期刊论文
OAI收割
philosophical magazine letters, 1998, 卷号: 78, 期号: 3, 页码: 203-211
作者:
Han PD
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提交时间:2010/08/12
THREADING DISLOCATION DENSITIES
II-VI COMPOUNDS
MISFIT DISLOCATIONS
SEMICONDUCTORS
ORIGIN
FILMS