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机构
半导体研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [3]
iSwitch采集 [2]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2010 [1]
2002 [1]
2000 [3]
学科主题
半导体物理 [2]
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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条数/页:
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Band-tail shape and transport near the metal-insulator transition in Si-doped
期刊论文
OAI收割
physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2010, 2010, 卷号: 82, 82, 期号: 12, 页码: art. no. 125202, Art. No. 125202
作者:
Misuraca J (Misuraca Jennifer)
;
Trbovic J (Trbovic Jelena)
;
Lu J (Lu Jun)
;
Zhao JH (Zhao Jianhua)
;
Ohno Y (Ohno Yuzo)
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/10/11
PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY
Persistent Photoconductivity
Dx Centers
Alxga1-xas
Gaas
Semiconductors
DX CENTERS
ALXGA1-XAS
GAAS
SEMICONDUCTORS
Effect of rapid thermal annealing on electron emission and DX centers in strained InGaAs/GaAs single quantum well laser diodes
期刊论文
OAI收割
acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 367-371
Lu LW
;
Zhang YH
;
Xu ZT
;
Xu ZY
;
Wang ZG
;
Wang J
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:111/7
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提交时间:2010/08/12
quantum well
rapid thermal annealing
electron emission
DX centers
CRITICAL LAYER THICKNESS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Effect of rapid thermal annealing on electron emission and dx centers in strained ingaas/gaas single quantum well laser diodes
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 1, 页码: 13-18
作者:
Lu, LW
;
Zhang, YH
;
Xu, ZT
;
Xu, ZY
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Ingaas/gaas single quantum well
Electron emission
Dx centers
Dx-like centers in n-type al-doped zns1-xtex grown by molecular-beam epitaxy
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 216, 期号: 1-4, 页码: 141-146
作者:
Lu, LW
;
Mak, KK
;
Ma, ZH
;
Wang, J
;
Sou, IK
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Dx-like centers
Zns1-xtex
Hmolecular-beam epitaxy
DX-like centers in n-type Al-doped ZnS1-xTex grown by molecular-beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 216, 期号: 1-4, 页码: 141-146
Lu LW
;
Mak KK
;
Ma ZH
;
Wang J
;
Sou IK
;
Ge WK
收藏
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提交时间:2010/08/12
DX-like centers
ZnS1-xTex
hmolecular-beam epitaxy
ZNSTE