机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• iSwitch采集 [2]
• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2003 [2]
• 2002 [2]

学科主题

• 半导体物理 [2]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Low-frequency noise properties of gan schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers 期刊论文  iSwitch采集 Materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 5-6, 页码: 523-525 作者:  Leung, BH;  Fong, WK;  Surya, C;  Lu, LW;  Ge, WK 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Low-frequency noise  Deep levels  Deep level transient fourier spectroscopy   Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers 会议论文  OAI收割 1st international symposium on point defect and stoichiometry, sendai, japan, mar 20-22, 2003 Leung BH; Fong WK; Surya C; Lu LW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/10/29 GaN  low-frequency noise  deep levels  deep level transient Fourier spectroscopy  DEVICES   Characterization of deep levels in pt-gan schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers 期刊论文  iSwitch采集 Ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318 作者:  Leung, BH;  Chan, NH;  Fong, WK;  Zhu, CF;  Ng, SW 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Deep level transient fourier spectroscopy  (dltfs)  Gallium nitride (gan)  Intermediate-temperature buffer layer (itbf)  Low-frequency noise   Characterization of deep levels in Pt-GaN Schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers 期刊论文  OAI收割 ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318 Leung BH; Chan NH; Fong WK; Zhu CF; Ng SW; Lui HF; Tong KY; Surya C; Lu LW; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：141/0  |  提交时间：2010/08/12 deep level transient Fourier spectroscopy  (DLTFS)  gallium nitride (GaN)  intermediate-temperature buffer layer (ITBF)  low-frequency noise  RESONANT-TUNNELING DIODES  GENERATION-RECOMBINATION NOISE  RANDOM-TELEGRAPH NOISE  ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS  DEVICES