机构

• 半导体研究所 [2]
• 上海硅酸盐研究所 [2]
• 物理研究所 [1]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2019 [1]
• 2015 [1]
• 2013 [2]
• 1995 [2]

学科主题

• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The grain size effect in dielectric diffusion and electrical conduction of PZnTe-PZT ceramics 期刊论文  OAI收割 PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2019, 卷号: 560, 页码: 16 作者:  Huang, Xiang;  Li, Weiwei;  Zeng, Jiangtao;  Zheng, Liaoying;  Man, Zhenyong   |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2019/12/26 PZnTe-PZT  Segregation  Dielectric diffusion  Electrical conduction   Phase Transitional Behavior and Dielectric Properties of (Ba, Ca)(Ti, Zr)O-3-Bi(Zn, Zr)O-3 Lead-Free Ceramics 期刊论文  OAI收割 FERROELECTRICS, 2015, 卷号: 488, 期号: 1, 页码: 104-111 作者:  Chen, Xiaoming;  Zeng, Jiangtao;  Li, Yongsheng;  Ruan, Xuezheng;  Ruan, Wei 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2017/03/01 Ceramics  sintering  dielectric properties  diffusion  phase transition   Surface Passivation and Interface Properties of Bulk GaAs and Epitaxial-GaAs/Ge Using Atomic Layer Deposited TiAlO Alloy Dielectric 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2013, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 949-957 作者:  Dong, JR(董建荣) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2014/01/15 IIII-V surface passivation  atomic layer deposition  hysteresis voltage  TiAlO alloy dielectric  epi-GaAs/Ge  effective dielectric constant  elemental out-diffusion  GaAs MOS   Aminosilanization Nanoadhesive Layer for Nanoelectric Circuits with Porous Ultralow Dielectric Film 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2013, 卷号: 5, 期号: 13, 页码: 6097 Zhao, ZK; He, YY; Yang, HF; Qu, XP; Lu, XC; Luo, JB 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2014/01/16 aminosilanization  adhesive  low dielectric  oxygen plasma  diffusion barrier  interface adhesion   Enhancement effect of plasma-enhanced chemical-vapor-deposited sin capping layer on dielectric cap quantum-well disordering 期刊论文  iSwitch采集 Japanese journal of applied physics part 2-letters & express letters, 1995, 卷号: 34, 期号: 4a, 页码: L418-l421 作者:  CHOI, WJ;  LEE, S;  ZHANG, JM;  KIM, Y;  KIM, SK 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Dielectric cap quantum well disordering  Gaas/algaas multiple quantum well  Silicon nitride  Pecvd  Vacancy diffusion   ENHANCEMENT EFFECT OF PLASMA-ENHANCED CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITED SIN CAPPING LAYER ON DIELECTRIC CAP QUANTUM-WELL DISORDERING 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics part 2-letters, 1995, 卷号: 34, 期号: 4a, 页码: l418-l421 CHOI WJ; LEE S; ZHANG JM; KIM Y; KIM SK; LEE JI; KANG KN; CHO K 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/17 DIELECTRIC CAP QUANTUM WELL DISORDERING  GAAS/ALGAAS MULTIPLE QUANTUM WELL  SILICON NITRIDE  PECVD  VACANCY DIFFUSION  OUT-DIFFUSION  WAVE-GUIDE  LASERS  GAAS  FILMS