机构

• 微电子研究所 [4]
• 长春光学精密机械与物... [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2007 [1]
• 2004 [4]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 大功率半导体激光列阵单光纤耦合技术 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 期号: 10 牛岗; 樊仲维; 王培峰; 崔建丰; 石朝辉; 张晶 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2012/09/25 激光技术  大功率半导体激光列阵  阶梯反射镜  偏振合束  波长合束  耦合效率EEACC:4320J   高性能新结构InGaP／GaAs异质结双极型晶体管 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 756-761 作者:  孙海锋;  白大夫;  刘训春;  王润梅;  袁志鹏   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/05/26 异质结双极型晶体管  U形发射极  自对准发射极  热处理能力  Pacc  7340j  Eeacc  2560f  2550e  2550r   发射极镇流电阻对In0.49Ga0.51P／GaAs HBT特性的影响 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 831-835 作者:  罗明雄;  石瑞英;  孙海锋;  袁志鹏;  汪宁   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/05/26 发射极镇流电阻  In0.49ga0.51p／gaas  Hbt  直流特性  高频特性  Eeacc  1350f  2560b  2560j  2560z   双异质结双平面掺杂HEMT器件的电荷控制模型 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 836-840 作者:  刘新宇;  陈震;  吴德馨   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/05/26 高电子迁移率晶体管（hemt）  电荷控制模型  异质结  二维电子气  双平面掺杂  Eeacc  1350a  2560s   深亚微米设计中天线效应的消除 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 879-883 作者:  叶青;  黄令仪;  杨旭;  周玉梅   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/05/26 Pae效应  等离子  栅氧化层  可靠性  Eeacc  1265a  2570a