机构

• 物理研究所 [1]
• 金属研究所 [1]
• 高能物理研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]
• 长春应用化学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2014 [1]
• 2013 [1]
• 2008 [2]
• 2006 [1]

学科主题

• Physics [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 AB INITIO INVESTIGATIONS OF THE MAGNETISM IN DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTOR Fe-DOPED GaN 期刊论文  OAI收割 MODERN PHYSICS LETTERS B, 2014, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 1450031 作者:  Cheng, J;  Zhou, J;  徐伟; Xu, W;  Dong, P 收藏  |   Calculation of impurity energy levels of transition metal ions in inorganic crystals based on electronegativity 期刊论文  OAI收割 materials research innovations, 2013, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 218-223 Li KY; Shao JJ; Xue DF 收藏  |   Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructures on semi-insulating GaN epilayers by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2008, 卷号: 103, 期号: 9 Mei, F; Fu, QM; Peng, T; Liu, C; Peng, MZ; Zhou, JM 收藏  |   Investigations on the local structure and the EPR parameters for Cu(2+)-doped GaN 期刊论文  OAI收割 Modern Physics Letters B, 2008, 卷号: 22, 期号: 18, 页码: 1739-1747 L. H. Wei; S. Y. Wu; Z. H. Zhang; H. Wang; X. F. Wang 收藏  |   Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18 Fang CB; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Wang CM; Li JM 收藏  |