机构

• 半导体研究所 [2]
• 长春应用化学研究所 [2]
• 力学研究所 [1]
• 长春光学精密机械与物... [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2018 [1]
• 2011 [1]
• 2010 [1]
• 2004 [1]
• 2002 [2]

学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Synthesis of Two-Dimensional Alloy Ga0.84In0.16Se Nanosheets for High-Performance Photodetector 期刊论文  OAI收割 Acs Applied Materials & Interfaces, 2018, 卷号: 10, 期号: 50, 页码: 43299-43304 作者:  Yu, M. M.;  Li, H.;  Liu, H.;  Qin, F. L.;  Gao, F.   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/09/17 Ga0.84In1.86Se  alloy engineering  photodetectors  two-dimensional  materials  III-VI group semiconductors  temperature  gase  inse  deposition  graphene  mobility  growth  films  Science & Technology - Other Topics  Materials Science   An extraction study of gallium, indium, and zinc with mixtures of sec-octylphenoxyacetic acid and primary amine N1923 期刊论文  OAI收割 separation and purification technology, 2011, 卷号: 80, 期号: 2, 页码: 351-355 Ma HH; Lei Y; Jia Q; Liao WP; Lin L 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/06/08 LIQUID-LIQUID-EXTRACTION  SOLVENT-EXTRACTION  CARBOXYLIC-ACIDS  CHLORIDE MEDIA  SEPARATION  RECOVERY  DERIVATIVES  EQUILIBRIA  GA(III)  COPPER   Synergistic extraction study of indium from chloride medium by mixtures of sec-nonylphenoxy acetic acid and trialkyl amine 期刊论文  OAI收割 separation and purification technology, 2010, 卷号: 75, 期号: 1, 页码: 76-80 Fan SJ; Jia QO; Song NZ; Su RY; Liao WP 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/04/25 LIQUID-LIQUID-EXTRACTION  SOLVENT-EXTRACTION  SEPARATION  GALLIUM  RECOVERY  GA(III)  IN(III)  TOLUENE   Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文  OAI收割 international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：88/1  |  提交时间：2010/10/29 metalorganic chemical vapor deposition  semiconducting III-V materials  DOPED AL(X)GA1-XN/GAN HETEROSTRUCTURES  CARRIER CONFINEMENT  EFFECT TRANSISTORS  PHOTOLUMINESCENCE  MOBILITY  HETEROJUNCTION  INTERFACE  HFETS   Carrier concentration profiling in magnetic GaMnSb/GaSb investigated by electrochemistry capacitance-voltage profiler 期刊论文  OAI收割 Chinese Science Bulletin/中国科学通报(英文版), 2002, 卷号: 47, 期号: 21, 页码: 1780-1782 作者:  Zhang XL 收藏  |  浏览/下载：766/44  |  提交时间：2009/08/03 Electrochemistry C-V  Magnetic Semiconductor  Gamnsb  Iii-V Semiconductors  Magnetotransport Properties  Transport-Properties  (In,Mn)As/(Ga,Al)Sb  Magnetoresistance  Heterostructures  (Ga,Mn)As  Gaas   Carrier concentration profiling in magnetic GaMnSb/GaSb investigated by electrochemistry capacitance-voltage profiler 期刊论文  OAI收割 chinese science bulletin, 2002, 卷号: 47, 期号: 21, 页码: 1780-1782 Zhang XL; Zhang FQ; Song SL; Chen NF; Wang ZG; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/08/12 electrochemistry C-V  magnetic semiconductor  GaMnSb  III-V SEMICONDUCTORS  MAGNETOTRANSPORT PROPERTIES  TRANSPORT-PROPERTIES  (IN  MAGNETORESISTANCE  HETEROSTRUCTURES  (GA  GAAS  MN)AS/(GA  MN)AS  AL)SB