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浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaInP/GaAs tandem solar cells with highly Te- and Mg-doped GaAs tunnel junctions grown by MBE 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 10, 页码: 7 作者:  Zheng, XH(郑新河);  Liu, SJ;  Xia, Y;  Gan, XY;  Wang, HX 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2015/12/31 Te doping  Mg doping  GaAs tunnel junction  GaInP/GaAs tandem solar cell  molecular beam epitaxy   Control of threading dislocations by strain engineering in GaInP buffers grown on GaAs substrates 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2015, 卷号: 593, 页码: 5 作者:  Li, KL(李奎龙);  Sun, YR(孙玉润);  Dong, JR(董建荣);  He, Y(何洋);  Zeng, XL(曾徐路) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2015/12/31 Metamorphic GaInP buffers  Threading dislocations  X-ray diffraction  Strain relaxation  Dislocation annihilation   Structural Dependences of Localization and Recombination of Photogenerated Carriers in the top GaInP Subcells of GaInP/GaAs Double-Junction Tandem Solar Cells 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2015, 卷号: 7, 期号: 1, 页码: 6 作者:  Deng, Z;  Ning, JQ(宁吉强);  Su, ZC;  Xu, SJ;  Xing, Z(邢政) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2015/12/31 GaInP/GaAs double-junction tandem solar cells  photoluminescence  localization mechanism  radiative recombination   HgMnTe窄禁带磁性半导体和GaInP多量子阱的磁光电性质研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2011 作者:  朱亮清   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/09/11 Hgmnte磁性半导体  Fuorier变换红外光谱  Kp微扰理论  束缚磁极化子  Gainp应变量子阱   Light-splitting photovoltaic system utilizing two dual-junction solar cells 期刊论文  OAI收割 Solar Energy, 2010, 卷号: 84, 期号: 12, 页码: 1975-1978 作者:  Dong JR (董建荣);  Zhou TF (周桃飞);  Lu SL (陆书龙);  Wang RX (王荣新);  Yang H (杨辉) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2011/03/13 Light splitting  GaInP/GaAs  GaInAsP/InGaAs  Dual junction   Light-splitting photovoltaic system utilizing two dual-junction solar cells 期刊论文  OAI收割 solar energy, 2010, 卷号: 84, 期号: 12, 页码: 1975-1978 作者:  Yang H;  Yang H;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：55/5  |  提交时间：2011/07/05 Light splitting  GaInP/GaAs  GaInAsP/InGaAs  Dual junction   Photoluminescence properties of tensile-strained gaasp/gainp single quantum wells grown by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 7026-7031 作者:  Zhong, Li;  Ma, Xaoyu 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/12 Tensile strain  Gaasp/gainp  Photoluminescence  Quantum well  Laser diodes  Lp-mocvd   Thermal test and analysis of concentrator solar cells 会议论文  OAI收割 Solid State Lighting and Solar Energy Technologies, Beijing, China, November 12, 2007 - November 14, 2007 作者:  Cui M;  Chen NF(陈诺夫);  Wu JL;  Liu L;  Wang P 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2017/06/01 Concentrator solar cells  Concentrator systems  Gainp/gaas/ge  High concentrations  Metal organic  Passive cooling  Photovoltaic solar cells  Temperature differences  Theoretical models  Thermal conductions  Thermal resistance  Triple junctions  Upper surfaces   Photoluminescence properties of tensile-strained GaAsP/GaInP single quantum wells grown by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 7026-7031 part 1 Zhong, L; Ma, XY 收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2010/03/08 tensile strain  GaAsP/GaInP  photoluminescence  quantum well  laser diodes  LP-MOCVD   一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性 期刊论文  OAI收割 核技术, 2007, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 37-39 作者:  牛振红;  郭旗;  任迪远;  刘刚;  高嵩 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2012/11/29 多结太阳电池  GaInP/GaAs/Ge  电子辐照  辐照效应  光谱响应