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浏览/检索结果: 共144条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Simultaneous detection of trace Ag(I) and Cu(II) ions using homoepitaxially grown GaN micropillar electrode 期刊论文  OAI收割 ANALYTICA CHIMICA ACTA, 2020, 卷号: 1100, 页码: 22-30 作者:  Liu, Qingyun;  Li, Jing;  Yang, Wenjin;  Zhang, Xinglai;  Zhang, Cai   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2021/02/02 GaN micropillar arrays  Homoepitaxial growth  Electrochemistry  Metal ion detection   Polarity Control and Nanoscale Optical Characterization of AlGaN-Based Multiple-Quantum-Wells for Ultraviolet C Emitters 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED NANO MATERIALS, 2020, 卷号: 3, 期号: 6, 页码: 5335-5342 作者:  Xu, Houqiang;  Jiang, Jie'an;  Dai, Yijun;  Cui, Mei;  Li, Kuang-hui   |  收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2020/12/16 LIGHT-EMITTING-DIODES  GAN GROWTH  PARAMETERS  WATER   Revealing the surface electronic structures of AlGaN deep-ultraviolet multiple quantum wells with lateral polarity domains 期刊论文  OAI收割 PHOTONICS RESEARCH, 2020, 卷号: 8, 期号: 6, 页码: 812-818 作者:  Guo, Wei;  Chen, Li;  Xu, Houqiang;  Qian, Yingda;  Sheikhi, Moheb   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2020/12/16 GAN  BOUNDARIES  INTERFACE  KINETICS  GROWTH   Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48 作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yu, Huabin;  Jiang, Jie'an   |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2020/12/16 INVERSION DOMAIN BOUNDARIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  C-GAN DOMAINS  GALLIUM NITRIDE  N-POLARITY  2ND-HARMONIC GENERATION  SURFACE-MORPHOLOGY  GAAS FILMS  GROWTH  ALN   Polarity control and fabrication of lateral polarity structures of III-nitride thin films and devices: progress and prospects 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2020, 卷号: 53, 期号: 48 作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Chen, Li;  Yu, Huabin;  Jiang, Jie'an   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2021/12/01 INVERSION DOMAIN BOUNDARIES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  C-GAN DOMAINS  GALLIUM NITRIDE  N-POLARITY  2ND-HARMONIC GENERATION  SURFACE-MORPHOLOGY  GAAS FILMS  GROWTH  ALN   Epitaxial growth mechanism of perovskite (111) SrTiO3 on wurtzite (0002) GaN with single unit- cell TiN buffer layers 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2019, 卷号: 465, 页码: 1055 作者:  Li, Guanjie;  Li, Xiaomin;  Chen, Yongbo;  Jia, Shasha;  Xu, Xiaoke   |  收藏  |  浏览/下载：128/0  |  提交时间：2019/12/31 Epitaxial growth  SrTiO3  GaN  TiN buffer layer  Pulsed laser deposition   Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles 期刊论文  OAI收割 Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Z.M.Shi;  X.J.Sun;  Y.P.Jia;  X.K.Liu;  S.L.Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2020/08/24 van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics   Epitaxial integration of 0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O-3-0.3PbTiO(3) (111) thin films on GaN (0002) with La0.5Sr0.5CoO3/TiO2 buffer layers 期刊论文  OAI收割 MATERIALS LETTERS, 2018, 卷号: 216, 页码: 224, 227 作者:  Li, Guanjie;  Li, Xiaomin;  Bi, Zhijie;  Chen, Yongbo;  Xu, Xiaoke   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/12/28 Ferroelectrics  Thin films  Epitaxial growth  PMN-PT  GaN  Physical vapour deposition   High-performance BiFe0.95Mn0.05O3 ferroelectric film epitaxially integrated on GaN substrate with LSMO/TiO2 bi-layer buffer 期刊论文  OAI收割 MATERIALS LETTERS, 2017, 卷号: 193, 页码: 240-243 作者:  Xu, Leilei;  Li, Xiaomin;  Zhu, Qiuxiang;  Xu, Xiaoke;  Qin, Meng 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2017/05/15 Ferroelectrics  Bismuth ferrite  Bi-layer buffer  Epitaxial growth  GaN integration   Defect-Induced Nucleation and Epitaxy: A New Strategy toward the Rational Synthesis of WZ-GaN/3C-SiC Core-Shell Heterostructures 期刊论文  OAI收割 NANO LETTERS, 2015, 卷号: 15, 期号: 12, 页码: 7837-7846 Liu, Baodan; Yang, Bing; Yuan, Fang; Liu, Qingyun; Shi, Dan; Jiang, Chunhai; Zhang, Jinsong; Staedler, Thorsten; Jiang, Xin 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2016/04/21 Wurtzite GaN  3C-SiC  core-shell heterostructure  stacking faults  confined epitaxial growth