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浏览/检索结果: 共109条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 On the Luminescence Properties and Surface Passivation Mechanism of III- and N-Polar Nanopillar Ultraviolet Multiple-Quantum-Well Light Emitting Diodes 期刊论文  OAI收割 MICROMACHINES, 2020, 卷号: 11, 期号: 6 作者:  Sheikhi, Moheb;  Dai, Yijun;  Cui, Mei;  Li, Liang;  Liu, Jianzhe   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2020/12/16 NITRIDE  PERFORMANCE  ALGAN/GAN   Construction of van der Waals substrates for largely mismatched heteroepitaxy systems using first principles 期刊论文  OAI收割 Science China-Physics Mechanics & Astronomy, 2019, 卷号: 62, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Z.M.Shi;  X.J.Sun;  Y.P.Jia;  X.K.Liu;  S.L.Zhang   |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2020/08/24 van der Waals epitaxy,2D materials,first principles,light-emitting-diodes,phase epitaxy growth,algan/gan hemts,boron-nitride,gan,graphene,layer,nanosheets,crystals,semiconductor,Physics   Performance enhancement of ultraviolet light emitting diode incorporating Al nanohole arrays 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 29, 期号: 45 作者:  Guo, Wei;  Xie, Weiping;  Chee, Kuan W. A.;  Zeng, Yuheng;  Ye, Jichun   |  收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2018/12/04 Surface-plasmons  Quantum-wells  Nanoparticles  Emission  Algan  Suppression  Efficiency  Ingan/gan  Emitters  Ag   Performance enhancement of ultraviolet light emitting diode incorporating Al nanohole arrays 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 29, 期号: 45 作者:  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Jiang, Jie'an;  Ye, Jichun;  Zeng, Yuheng   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2018/12/04 Surface-plasmons  Quantum-wells  Nanoparticles  Emission  Algan  Suppression  Efficiency  Ingan/gan  Emitters  Ag   Performance enhancement of ultraviolet light emitting diode incorporating Al nanohole arrays 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2018, 卷号: 29, 期号: 45 作者:  Jiang, Jie'an;  Guo, Wei;  Xu, Houqiang;  Yang, Zhenhai;  Guo, Shiping   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/12/18 SURFACE-PLASMONS  QUANTUM-WELLS  NANOPARTICLES  EMISSION  ALGAN  SUPPRESSION  EFFICIENCY  INGAN/GAN  EMITTERS  AG   Room-Temperature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si 期刊论文  OAI收割 Acs Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 699-704 作者:  Feng, M. X.;  Li, Z. C.;  Wang, J.;  Zhou, R.;  Sun, Q.   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/09/17 AlGaN  near-ultraviolet  laser  Si substrate  stress  defect  light-emitting-diodes  gan  efficiency  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Optics  Physics   The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 Crystengcomm, 2018, 卷号: 20, 期号: 19, 页码: 2720-2728 作者:  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Ben, J. W.;  Jia, Y. P.;  Liu, H. N.   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/09/17 light-emitting-diodes  screw dislocations  threading dislocations  phase  epitaxy  gan  films  algan  core  edge  generation  Chemistry  Crystallography   常关型GaN HEMT器件制备研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 黄宇亮 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2016/06/06 AlGaN/GaN  高电子迁移率晶体管  常关型  选区二次外延   宽禁带半导体材料光学性质的研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 刘雅丽 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2016/06/03 AlGaN/AlGaN 量子阱  GaN/AlN量子点  半导体金刚石  深紫外光致发光  激子-声子作用  激子局域化   AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院大学, 2016 赵勇兵 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/06/01 AlGaN/GaN HFET  特征导通电阻  击穿电压  增强型器件  阈值电压