机构

• 半导体研究所 [3]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2022 [1]
• 2003 [3]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Impact of gas pressure on particle feature in Fe-based amorphous alloy powders via gas atomization: Simulation and experiment 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY, 2022, 卷号: 105, 页码: 203-213 作者:  Shi, Yutong;  Lu, Weiyan;  Sun, Wenhai;  Zhang, Suode;  Yang, Baijun   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2022/07/14 Gas atomization  Fe-based amorphous powder  Closed-wake  Gas-melt flow  Break-up  Particle size distribution   Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in czochralski silicon single crystal growth 期刊论文  iSwitch采集 Microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 504-509 作者:  Zhang, ZC;  Ren, BY;  Chen, YH;  Yang, SY;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2019/05/12 Czochralski method  Growth from melt  Semiconductor silicon  Argon gas flow  Computer simulation  Oxygen content   Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文  OAI收割 iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/11/15 Czochralski method  growth from melt  semiconductor silicon  argon gas flow  computer simulation  oxygen content  FURNACE PRESSURE   Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 期刊论文  OAI收割 microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 504-509 Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 Czochralski method  growth from melt  semiconductor silicon  argon gas flow  computer simulation  oxygen content  FURNACE PRESSURE