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• OAI收割 [13]

内容类型

• 期刊论文 [6]
• 学位论文 [5]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2016 [2]
• 2014 [2]
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• 2002 [2]
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学科主题

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• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]
• 红外系统与元部件 [1]

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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 光子计数成像探测器电荷感应层Ge薄膜特性研究 期刊论文  OAI收割 长春理工大学学报(自然科学版), 2016, 期号: 4, 页码: 38-41 作者:  陈波;  李云鹏;  王孝东;  于再超;  张宏吉   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2017/09/17 Ge薄膜  直流磁控溅射  Ar气通入量  沉积速率  电学性质   硅基锗材料的异质外延及高效发光器件研制 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 何超 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2016/06/02 Si 基发光器件  Ge/Si 量子点  Ge/SiGe 量子阱  Ge 薄膜   高性能Ge-on-Si长波长光电探测器的研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2014 李冲 收藏  |  浏览/下载：120/0  |  提交时间：2014/06/03 Si基Ge薄膜  光电探测器  红外光互联  波导探测器   Ge薄膜性能及其在光子计数成像探测器中的应用 期刊论文  OAI收割 光学精密工程, 2014, 期号: 5, 页码: 1143-1149 作者:  张宏吉;  郑鑫;  陈波;  王孝东 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/04/17 光子计数成像  磁控溅射  非晶Ge薄膜  电荷感应层   激光辐照引起Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化 期刊论文  OAI收割 无机材料学报, 2008, 卷号: 23, 期号: 6, 页码: 1111, 1114 孙华军; 侯立松; 吴谊群; 魏劲松 收藏  |  浏览/下载：1704/417  |  提交时间：2009/09/22 Ge2Sb2Te5薄膜  Ge2Sb2Te5 film  激光辐照  laser-irradiation  电/光性质  electrical/optical properties  光学常数  optical constants  相转变  phase change   飞秒激光作用下相变材料结构变化的研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2006 作者:  张广军 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2016/11/28 Ge2Sb2Te5薄膜  相变材料  飞秒激光引发相变  载流子动力学   锗透镜中长波红外宽带增透膜的研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2005 作者:  李大琪   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/07/11 光学薄膜  红外增透膜  Ge透镜   硅离子注入对Ge2Sb2Te5结构和电阻的影响 会议论文  OAI收割 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会, 2005 刘波; 宋志棠; 封松林; Bomy Chen 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/01/18 Ge2Sb2Te5 硅离子注入 硅掺杂 电阻性能 薄膜结构   原子力显微镜中微悬臂梁/探针横向力的标定 期刊论文  OAI收割 测试技术学报, 2005, 期号: 01 鲍海飞; 李昕欣; 王跃林 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2012/01/06 Ge-SiO2薄膜  磁控溅射  光致发光   制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响 会议论文  OAI收割 第十四屇全国半导体集成电路、硅材料学术年会, 2005 夏吉林; 刘波; 宋志棠; 封松林 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/01/18 Ge2Sb2Te5薄膜 电学性能 制备条件 相变