机构

• 上海微系统与信息技术... [1]
• 半导体研究所 [1]
• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 学位论文 [2]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2017 [1]
• 2006 [1]
• 2005 [1]

学科主题

• 半导体器件 [1]
• 微电子学 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 孔祥挺 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2017/06/05 InGaAs沟道  高迁移率  MOSFET  Ge/Si衬底   CMP纳米抛光液及抛光工艺相关技术研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2006 张楷亮   收藏  |  浏览/下载：222/0  |  提交时间：2012/03/06 化学机械抛光  纳米研磨料  硅衬底  Ge-Sb-Te  电化学  湿法刻蚀     在Si和Ge衬底上用分子束外延生长HgCdTe 期刊论文  OAI收割 红外, 2005, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 29-24 作者:  傅祥良   |  收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2011/11/14 分子束外延  Si衬底  Ge衬底  Cdte  Hgcdte  晶向  晶格失配