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半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [2]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2011 [3]
学科主题
光电子学 [1]
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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Flattening of low temperature epitaxial ge1-xsnx/ge/si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing
期刊论文
iSwitch采集
Applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471
作者:
Wang, Wei
;
Su, Shaojian
;
Zheng, Jun
;
Zhang, Guangze
;
Xue, Chunlai
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Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing
期刊论文
OAI收割
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 9, 页码: 4468-4471
Wang W
;
Su SJ
;
Zheng J
;
Zhang GZ
;
Xue CL
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Wang QM
收藏
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Influence of growth temperatures on the quality of InGaAs/GaAs quantum well structure grown on Ge substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
journal of semiconductors, Journal of Semiconductors, 2011, 2011, 卷号: 32, 32, 期号: 4, 页码: 43004, 43004
作者:
He, Jifang
;
Shang, Xiangjun
;
Li, Mifeng
;
Zhu, Yan
;
Chang, Xiuying
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