机构

• 物理研究所 [2]
• 计算技术研究所 [1]
• 上海微系统与信息技术... [1]
• 半导体研究所 [1]
• 合肥物质科学研究院 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2021 [1]
• 2018 [1]
• 2011 [1]
• 2006 [2]
• 2005 [1]

学科主题

• Condensed ... [1]
• Physics [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Investigation of native defects and impurities in X-N (X = Al, Ga, In) 期刊论文  OAI收割 COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2021, 卷号: 188, 页码: 9 作者:  Chen, Yingjie;  Wu, Liyuan;  Liang, Dan;  Lu, Pengfei;  Wang, Jianjun   |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2021/12/01 Group III nitrides  First-principles  Bulk modulus  Defect levels  Formation energies   Structural stability and electronic properties of the (0001) inversion domain boundary in III-nitrides 期刊论文  OAI收割 COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2018, 卷号: 154, 页码: 152-158 作者:  Li, Siqian;  Lei, Huaping;  Anglade, Pierre-Matthieu;  Chen, Jun;  Ruterana, Pierre   |  收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2019/12/20 Inversion domain boundary (IDB)  Group III-nitrides  DFT  Chemical bonding  Electronic structure   Surface characterization of AlGaN grown on Si (111) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 331, 期号: 1, 页码: 29-32 Pan X; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Feng C; Jiang LJ; Yin HB; Chen H 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/01/06 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  VAPOR-PHASE EPITAXY  GROUP-III NITRIDES  INVERSION DOMAINS  HIGH-TEMPERATURE  GAN  SI(111)  ALN  SAPPHIRE   Effect of nitridation on the growth of GaN on ZrB2 (0001)/Si(111) by molecular-beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2006, 卷号: 100, 期号: 3 Wang, ZT; Yamada-Takamura, Y; Fujikawa, Y; Sakurai, T; Xue, QK; Tolle, J; Kouvetakis, J; Tsong, IST 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/09/17 VAPOR-PHASE EPITAXY  GROUP-III NITRIDES  BUFFER LAYER  SUBSTRATE  ZRB2(0001)  SI(111)  SURFACE   Hot-electron dynamics and terahertz generation in GaN quantum wells in the streaming transport regime 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2006, 卷号: 73, 期号: 19, 页码: 195326-195326 Lu,JT; Cao,JC; Feng,SL 收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2011/12/17 MONTE-CARLO-SIMULATION  TRANSIT-TIME RESONANCE  GROUP-III NITRIDES  2-DIMENSIONAL ELECTRONS  PHONON-SCATTERING  BULK GAN  MOBILITY  HETEROSTRUCTURES  SEMICONDUCTORS  FIELD   Surface and interface studies of GaN epitaxy on Si(111) via ZrB2 buffer layers 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2005, 卷号: 95, 期号: 26 Yamada-Takamura, Y; Wang, ZT; Fujikawa, Y; Sakurai, T; Xue, QK; Tolle, J; Liu, PL; Chizmeshya, AVG; Kouvetakis, J; Tsong, IST 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/09/24 TOTAL-ENERGY CALCULATIONS  LIGHT-EMITTING-DIODES  GROUP-III NITRIDES  WAVE BASIS-SET  GAN(000(1)OVER-BAR) SURFACE  GROWTH  ZRB2(0001)  POLARITY  SI