机构

• 微电子研究所 [2]
• 金属研究所 [1]
• 上海微系统与信息技术... [1]
• 上海应用物理研究所 [1]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 学位论文 [2]

发表日期

• 2015 [1]
• 2007 [2]
• 2006 [1]
• 2005 [1]
• 2004 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 电流型可编程扫描磁铁电源研究 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院研究生院（上海应用物理研究所）, 2015 作者:  郁亚男 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2015/12/09 电流型  电子辐照加速器  扫描电源  脉宽调制  H-桥逆变电路   变形Mg-Zn-Y-Zr合金的力学行为研究 学位论文  OAI收割 博士, 金属研究所: 中国科学院金属研究所, 2007 刘志浩 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2012/04/10 变形Mg-Zn-Y-Zr合金  力学行为  热处理  热循环  H+辐照   离子辐照后4H-SiC晶体退火前后的光谱研究 期刊论文  OAI收割 核技术, 2007, 卷号: 2007, 期号: 04, 页码: 314-317 周丽宏; 张崇宏; 杨义涛; 宋银; 姚存峰   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/10/29 离子注入  辐照  4h-sic  Ftir  Raman谱  退火   碳纳米管场发射机理述评 期刊论文  OAI收割 材料导报, 2006, 期号: 02 张继华; 杨传仁; 王曦 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/01/06 绝缘体上硅(SOI)  总剂量辐照效应  环栅结构  H型栅结构   抗辐照H型栅PD SOI NMOSFETs 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2005, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 4，71-74 作者:  海潮和;  韩郑生;  钱鹤;  赵洪辰   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/05/26 Soi  总剂量辐照  氮化h2-o2  合成栅介质  H型栅   一种抗总剂量辐照的NMOSFETs 期刊论文  OAI收割 电子器件, 2004, 卷号: 27, 期号: 4, 页码: 578-580 作者:  韩郑生;  赵洪辰;  海潮和;  钱鹤   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/05/26 Soi  总剂量辐照  氮化h2-o2合成栅介质  C型体接触