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机构
物理研究所 [1]
微电子研究所 [1]
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
学位论文 [1]
发表日期
2016 [1]
2014 [1]
2000 [1]
学科主题
半导体器件 [1]
半导体材料 [1]
微电子学 [1]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院大学, 2016
赵勇兵
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2016/06/01
AlGaN/GaN HFET
特征导通电阻
击穿电压
增强型器件
阈值电压
Enhancement-mode ZnO/Mg0.5Zn0.5O HFET on Si
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 47, 期号: 25
Ye, DQ
;
Mei, ZX
;
Liang, HL
;
Li, JQ
;
Hou, YN
;
Gu, CZ
;
Azarov, A
;
Kuznetsov, A
;
Hong, WC
;
Lu, YC
;
Du, XL
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2015/04/14
enhancement
ZnO/MgZnO
HFET
bottom-gate
深亚微米栅HFET器件工艺研究
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 4,193-196
作者:
和致经
;
郑英奎
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提交时间:2010/05/25
混合曝光
Hfet
T型栅
工艺研究
深亚微米栅