机构

• 半导体研究所 [2]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2006 [2]
• 2001 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Morphological defects and uniformity issues of 4h-sic homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)si faces 期刊论文  iSwitch采集 Materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278 作者:  Sun, G. S.;  Liu, X. F.;  Gong, Q. C.;  Wang, L.;  Zhao, W. S. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 4h-sic  Homoepitaxial layers  Surface morphological defect  Optical microscopy   Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278 Sun GS (Sun G. S.); Liu XF (Liu X. F.); Gong QC (Gong Q. C.); Wang L (Wang L.); Zhao WS (Zhao W. S.); Li JY (Li J. Y.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Li JM (Li J. M.) 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/04/11 4H-SiC  homoepitaxial layers  surface morphological defect  optical microscopy  SILICON-CARBIDE  DISLOCATIONS  FILMS   N-plasma assisted molecular beam epitaxy of GaN(000(1)over-bar) thin films on 6H-SiC(000(1)over-bar) 期刊论文  OAI收割 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS, 2001, 卷号: 40, 期号: 6B, 页码: 4388 Xue, QZ; Xue, QK; Kuwano, S; Nakayama, K; Sakurai, T 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2013/09/24 HOMOEPITAXIAL GROWTH  6H-SIC(0001) SURFACE  GAN  MORPHOLOGY  GAN(0001)  SUBSTRATE  POLARITY  RECONSTRUCTIONS  HYDROGEN  LAYERS