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• OAI收割 [16]

内容类型

• 期刊论文 [10]
• 学位论文 [6]

发表日期

• 2017 [1]
• 2015 [1]
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学科主题

• 红外探测材料与器件 [5]
• 微电子学 [1]

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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响 期刊论文  OAI收割 半导体光电, 2017, 期号: 1, 页码: 61-65 作者:  操神送;  杜云辰;  朱龙源;  兰添翼;  赵水平   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/11/20 ICP干法刻蚀  碲镉汞光导材料  刻蚀气压  电学特性   氮化铝MEMS谐振器关键技术研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015 杨健 收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2015/06/02 氮化铝  MEMS  谐振器  有限单元法  压电系数测试  ICP刻蚀   基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器 期刊论文  OAI收割 红外与毫米波学报, 2012, 期号: 1, 页码: 11-14+90 朱耀明; 李永富; 李雪; 唐恒敬; 邵秀梅; 陈郁; 邓洪海; 魏鹏; 张永刚; 龚海梅 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2013/02/22 ICP刻蚀  N-on-P结构  线列探测器  光电性能   碲镉汞微台面干法隔离的ICP技术研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者:  周文洪   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2012/08/22 碲镉汞  微台面列阵隔离  Icp刻蚀  高占空比  刻蚀损伤   短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者:  宁锦华   |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2012/08/22 由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作  探测率高等优点  Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究  重点研究了感应耦合等离子体刻蚀（icp）台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器  通过最终性能的比较  评价得出较好的台面成型方式  为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下：icp刻蚀中掩膜的材料致密性  侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉  铟基材料的刻蚀需要对样品加热  在此温度下  光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说  采用pecvd生长sinx  选择边缘平整的光刻板  用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf：nh4f：h2o为3：6：10的溶液常温腐蚀6秒  可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物  但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器  平均刻蚀速率过快  同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离  提高刻蚀速率  相比较ar气  N2的物理轰击力小  对材料造成的损伤小  同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx  在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型  能得到刻蚀速率稳定可控  刻蚀后的表面光洁无残留物  图形保真度好。在不同的直流偏压  Icp功率  气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型  并从刻蚀速率  刻蚀垂直度  刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上  找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下  Icp具有图形保真度好  刻蚀速率稳定可控的优点  因而更适用于ingaas探测器的工程制作  特别在小光敏元探测器的制备中  Icp的优势将更明显。   硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 4，729-732 作者:  万里兮;  吕垚;  李宝霞   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/06/01 Icp  硅刻蚀  深槽刻蚀  刻蚀形貌  刻蚀速率  选择比   GaN/AlGaN紫外探测器的制备与光电特性研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  陈亮   |  收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2012/08/22 Gan/algan  Icp刻蚀  器件制备  量子效率   ICP等离子体刻蚀系统射频偏压的实验研究 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 4，980-983 作者:  张庆钊;  谢常青;  刘明;  李兵;  朱效立   |  收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/05/27 等离子体  射频偏压  Icp  干法刻蚀   ICP刻蚀HgCdTe相关技术研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2006 作者:  郭靖   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/07/11 Hgcdte  Icp  Polymer  Loading  Effect  Etch  Lag  刻蚀损伤   GaN基p-i-n紫外列阵探测器的制备与光电特性研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2006 作者:  亢勇   |  收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2012/07/11 Gan基阵列紫外探测器  器件制备  Icp干法刻蚀  结电容频率特性  内量子效率