机构

• 微电子研究所 [6]
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• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [16]

内容类型

• 期刊论文 [10]
• 学位论文 [6]

发表日期

• 2017 [1]
• 2015 [1]
• 2012 [1]
• 2009 [3]
• 2008 [2]
• 2006 [3]
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学科主题

• 红外探测材料与器件 [5]
• 微电子学 [1]

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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响 期刊论文  OAI收割 半导体光电, 2017, 期号: 1, 页码: 61-65 作者:  操神送;  杜云辰;  朱龙源;  兰添翼;  赵水平   |  收藏  |   氮化铝MEMS谐振器关键技术研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2015 杨健 收藏  |   基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器 期刊论文  OAI收割 红外与毫米波学报, 2012, 期号: 1, 页码: 11-14+90 朱耀明; 李永富; 李雪; 唐恒敬; 邵秀梅; 陈郁; 邓洪海; 魏鹏; 张永刚; 龚海梅 收藏  |   碲镉汞微台面干法隔离的ICP技术研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者:  周文洪   |  收藏  |   短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2009 作者:  宁锦华   |  收藏  |   硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响 期刊论文  OAI收割 微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 4，729-732 作者:  万里兮;  吕垚;  李宝霞   |  收藏  |   GaN/AlGaN紫外探测器的制备与光电特性研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2008 作者:  陈亮   |  收藏  |   ICP等离子体刻蚀系统射频偏压的实验研究 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 4，980-983 作者:  张庆钊;  谢常青;  刘明;  李兵;  朱效立   |  收藏  |   ICP刻蚀HgCdTe相关技术研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2006 作者:  郭靖   |  收藏  |   GaN基p-i-n紫外列阵探测器的制备与光电特性研究 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2006 作者:  亢勇   |  收藏  |