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机构
半导体研究所 [4]
上海技术物理研究所 [2]
上海微系统与信息技术... [1]
采集方式
OAI收割 [7]
内容类型
学位论文 [7]
发表日期
2018 [2]
2014 [2]
2012 [1]
2011 [1]
2009 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
光电子学 [1]
红外基础研究 [1]
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共7条,第1-7条
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III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2018
作者:
季祥海
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浏览/下载:134/0
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提交时间:2018/06/04
Iii-v族半导体纳米线
异质结纳米线
自催化生长机制
金属有机化学气相沉积
基于III-V半导体纳米线光电探测器件的研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
张凯
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2018/06/04
Iii-v族半导体
纳米线
光电探测器
表面钝化
柔性器件
硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院大学, 2014
周旭亮
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2014/05/28
III-V族半导体
硅基
MOCVD
场效应晶体管
Ge表面
硅基高迁移率III-V族半导体材料与晶体管研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2014
-
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浏览/下载:322/0
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提交时间:2016/11/06
III-V族半导体
硅基
MOCVD
场效应晶体管
Ge表面
Si基III-V族半导体异质兼容低维材料的分子束外延生长
学位论文
OAI收割
博士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2012, 2012
作者:
贺继方
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2012/06/15
Si基III-V族半导体
InAs/GaAs量子点
半导体纳米线
自催化生长
分子束外延
Si基iii-v族半导体
Inas/gaas量子点
半导体纳米线
自催化生长
分子束外延
III-V族半导体纳米线生长机理与性质调控的理论研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
舒海波
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提交时间:2012/09/11
Iii-v族半导体
纳米线
第一性原理
生长机理
电子性质
新型III-V族探测器与激光器的GSMBE生长和特性表征研究
学位论文
OAI收割
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2009
顾溢
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2012/03/06
III-V族化合物半导体
气态源分子束外延
探测器
激光器