机构

• 半导体研究所 [3]
• 物理研究所 [1]
• 金属研究所 [1]
• 过程工程研究所 [1]
• 中国科学院大学 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2017 [1]
• 2012 [1]
• 2010 [1]
• 2009 [2]
• 2008 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Manipulating III-V Nanowire Transistor Performance via Surface Decoration of Metal-Oxide Nanoparticles 期刊论文  OAI收割 ADVANCED MATERIALS INTERFACES, 2017, 卷号: 4, 期号: 12 作者:  Wang, Fengyun;  Yip, SenPo;  Dong, Guofa;  Xiu, Fei;  Song, Longfei 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2017/08/14 Enhancement Modes  Iii-v Nanowires  Metal-oxide Nanoparticles  Surface Decoration  Threshold Voltage   Drastically increased absorption in vertical semiconductor nanowire arrays: A non-absorbing dielectric shell makes the difference 期刊论文  OAI收割 NANO RESEARCH, 2012, 卷号: 5, 期号: 12, 页码: 863 Anttu, N; Namazi, KL; Wu, PM; Yang, PF; Xu, HX; Xu, HQ; Hakanson, U 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2013/09/17 III-V NANOWIRES  PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS  SOLAR-CELLS  CORE-SHELL  SILICON NANOWIRES  LIGHT  HETEROSTRUCTURES  GROWTH   Fabrication and visible emission of single-crystal diameter-modulated gallium phosphide nanochains 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 12 L. T. Fu; Z. G. Chen; J. Zou; H. T. Cong; G. Q. Lu 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/13 iii-v nanowires  semiconductor nanowires  periodic instability  field-emission  zno nanowires  growth  gap  nanotubes  nanobelts  cathodoluminescence   Band gap engineering of gan nanowires by surface functionalization 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 7, 页码: 3 作者:  Fang, D. Q.;  Rosa, A. L. 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/10 Adsorption  Density functional theory  Energy gap  Gallium compounds  Iii-v semiconductors  Nanowires  Passivation  Semiconductor quantum wires  Surface states  Wide band gap semiconductors   Depolarization blueshift in intersubband transitions of triangular quantum wires 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11, 页码: art. no. 113712 作者:  Song HP;  Zhang B 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/04/04 aluminium compounds  effective mass  gallium arsenide  III-V semiconductors  SCF calculations  semiconductor quantum wires  spectral line shift  EXCHANGE INTERACTION  ENERGY  STATES  ABSORPTION  NANOWIRES  ELECTRONS  SUBBANDS  WELLS  FIELD   Strain relaxation and band-gap tunability in ternary inxga1-xn nanowires 期刊论文  iSwitch采集 Physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: 4 作者:  Xiang, H. J.;  Wei, Su-Huai;  Da Silva, Juarez L. F.;  Li, Jingbo 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Density functional theory  Energy gap  Enthalpy  Gallium compounds  Ground states  Iii-v semiconductors  Indium compounds  Monte carlo methods  Nanowires  Semiconductor quantum wires  Wide band gap semiconductors   Strain relaxation and band-gap tunability in ternary InxGa1-xN nanowires 期刊论文  OAI收割 physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 193301 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：214/43  |  提交时间：2010/03/08 density functional theory  energy gap  enthalpy  gallium compounds  ground states  III-V semiconductors  indium compounds  Monte Carlo methods  nanowires  semiconductor quantum wires  wide band gap semiconductors