机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [4]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2004 [2]
• 2003 [1]
• 1993 [2]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 半导体器件 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Passive q-switched mode locking of double-clading yb : fiber laser with ion-implanted gaas 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2004, 卷号: 53, 期号: 6, 页码: 1810-1814 作者:  Wang, YG;  Ma, XY;  Fu, SG;  Fan, WD;  Li, Q 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2019/05/12 Ion-implanted gaas  Yb : fiber laser  Passive q-switched mode locking   Passive Q-switched mode locking of double-clading Yb : fiber laser with ion-implanted GaAs 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2004, 卷号: 53, 期号: 6, 页码: 1810-1814 Wang YG; Ma XY; Fu SG; Fan WD; Li Q 收藏  |  浏览/下载：213/50  |  提交时间：2010/03/09 ion-implanted GaAs   (Ga,Mn,N) compounds growth with mass-analyzed low energy dual ion beam deposition 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 202-207 Zhang FQ; Chen NF; Liu XG; Liu ZK; Yang SY; Cha CL 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  ion beam epitaxy  semiconducting III-V materials  DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS  IMPLANTED GAN  FERROMAGNETISM  INJECTION  GAAS  MN   RADIATIVE RECOMBINATION IN N-TYPE AND P-TYPE GAAS COMPENSATED WITH LI 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1993, 卷号: 74, 期号: 12, 页码: 7275-7287 GISLASON HP; YANG BH; PETURSSON J; LINNARSSON M 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/15 IMPLANTED GAAS  EMISSION   SHIFTING PHOTOLUMINESCENCE BANDS IN HIGH-RESISTIVITY LI-COMPENSATED GAAS 期刊论文  OAI收割 physical review b, 1993, 卷号: 47, 期号: 15, 页码: 9418-9424 GISLASON HP; YANG BH; LINNARSSON M 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/15 IMPLANTED GAAS  EMISSION