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机构
物理研究所 [2]
半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2000 [2]
1999 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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Effects of forming cavities on the lattice quality and carrier profile in the B doped silicon
期刊论文
OAI收割
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2000, 卷号: 72, 期号: 2-3, 页码: 142
Wang, SB
;
Zhu, PR
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2013/09/17
ION-IMPLANTED SILICON
BORON-DIFFUSION
DEFECTS
The crystal structural evolution of nano-Si anode caused by lithium insertion and extraction at room temperature
期刊论文
OAI收割
SOLID STATE IONICS, 2000, 卷号: 135, 期号: 1-4, 页码: 181
Li, H
;
Huang, XJ
;
Chen, LQ
;
Zhou, GW
;
Zhang, Z
;
Yu, DP
;
Mo, YJ
;
Pei, N
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2013/09/23
ION-IMPLANTED SI
AMORPHIZATION PROCESSES
RECHARGEABLE BATTERIES
LASER-ABLATION
SILICON
NANOWIRES
ELECTRODES
LI
High-frequency hydrogen-related infrared modes in silicon grown in a hydrogen atmosphere
期刊论文
OAI收割
physical review b, 1999, 卷号: 59, 期号: 11, 页码: 7500-7506
Pajot B
;
Clerjaud B
;
Xu ZJ
收藏
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浏览/下载:57/0
  |  
提交时间:2010/08/12
ION-IMPLANTED SILICON
UNIAXIAL-STRESS
ABSORPTION
NITROGEN
DEFECT
GERMANIUM
COMPLEXES
OXYGEN
LEVEL
BANDS