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	ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响期刊论文 OAI收割半导体光电, 2017, 期号: 1, 页码: 61-65 作者: 操神送; 杜云辰; 朱龙源; 兰添翼; 赵水平 \| 收藏 \| 浏览/下载：25/0 \| 提交时间：2018/11/20 ICP干法刻蚀碲镉汞光导材料刻蚀气压电学特性
	ICP等离子体刻蚀系统射频偏压的实验研究期刊论文 OAI收割半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 5, 页码: 4，980-983 作者: 张庆钊; 谢常青; 刘明; 李兵; 朱效立 \| 收藏 \| 浏览/下载：56/0 \| 提交时间：2010/05/27 等离子体射频偏压 Icp 干法刻蚀
	GaN基p-i-n紫外列阵探测器的制备与光电特性研究学位论文 OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2006 作者: 亢勇 \| 收藏 \| 浏览/下载：79/0 \| 提交时间：2012/07/11 Gan基阵列紫外探测器器件制备 Icp干法刻蚀结电容频率特性内量子效率
	GaAs背面通孔刻蚀技术研究期刊论文 OAI收割功能材料与器件学报, 2004, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 255-258 作者: 刘训春; 陈震; 魏珂; 王润梅; 刘新宇 \| 收藏 \| 浏览/下载：24/0 \| 提交时间：2010/05/26 通孔感应离子耦合（icp）干法刻蚀
	GaAs的ICP选择刻蚀研究期刊论文 OAI收割功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 4，174-177 作者: 刘训春; 王惟林 \| 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2010/05/25 Gaas／algaas Icp 选择刻蚀干法刻蚀