机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [3]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2006 [1]
• 2001 [2]
• 2000 [1]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Self-consistent analysis of double-delta-doped InAlAs/InGaAs/InP HEMTs 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 11, 页码: 2735-2741 Li DL (Li Dong-Lin); Zeng YP (Zeng Yi-Ping) 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/04/11 two-dimensional electron gas  high electron mobility transistor  self-consistent calculation  InAlAs/InGaAs heterostructure  CHARGE CONTROL MODEL  ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  PSEUDOMORPHIC INGAAS HEMT  FIELD-EFFECT TRANSISTOR  QUANTUM-WELL  ALGAAS/INGAAS PHEMTS  GATE RECESS  HIGH-SPEED  HETEROJUNCTION  CHANNEL   Photoluminescence studies of type-ii self-assembled inalas/algaas qds grown on (311)a gaas substrate 期刊论文  iSwitch采集 Journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 53-56 作者:  Chen, Y;  Li, GH;  Zhu, ZM;  Han, HX;  Wang, ZP 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/05/12 Inalas/algaas  Quantum dot  Pressure  Photoluminescence   Photoluminescence studies of type-II self-assembled InAlAs/AlGaAs QDs grown on (311)A GaAs substrate 期刊论文  OAI收割 journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 53-56 Chen Y; Li GH; Zhu ZM; Han HX; Wang ZP; Zhou W; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2010/08/12 InAlAs/AlGaAs  quantum dot  pressure  photoluminescence  QUANTUM DOTS  PRESSURE  SUPERLATTICES  LINEWIDTH  INSB  GASB   Strong temperature dependence of photoluminescence properties in visible InAlAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 1-2, 页码: 51-55 Liu BL; Xu ZY; Liu HY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12 InAlAs/AlGaAs  quantum dots  photoluminescence  time-resolved photoluminescence  LIFETIME