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回音壁模式微腔与半导体量子点耦合的研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2018
作者:
岳鹏毅
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提交时间:2018/06/01
回音壁模式微腔
Inas/gaas 量子点
腔量子电动力学
Puecell 效应
InAs/GaAs单量子点荧光效率的提高及波长的调谐
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
苏丹
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2016/05/26
InAs/GaAs单量子点
金纳米颗粒
荧光增强
单轴应力
流体静压
流体静压原位调谐InAs/GaAs单量子点激子光学性质
学位论文
OAI收割
博士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2015, 2015
作者:
武雪飞
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2015/06/01
InAs/GaAs单量子点
流体静压
单光子源
双激子束缚能
聚束效应
Inas/gaas单量子点
流体静压
单光子源
双激子束缚能
聚束效应
III-V族化合物半导体微结构红外探测器研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
金巨鹏
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提交时间:2012/09/11
Gaas/algaas
量子阱红外探测器
Inas/gasb
二类超晶格
焦平面
Si基III-V族半导体异质兼容低维材料的分子束外延生长
学位论文
OAI收割
博士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2012, 2012
作者:
贺继方
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2012/06/15
Si基III-V族半导体
InAs/GaAs量子点
半导体纳米线
自催化生长
分子束外延
Si基iii-v族半导体
Inas/gaas量子点
半导体纳米线
自催化生长
分子束外延
Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot: Simulation and experiment
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.83501
作者:
Zhou GY
;
Zhang HY
;
Xu B
;
Ye XL
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提交时间:2011/07/05
INAS ISLANDS
MU-M
ESCAPE
GAAS
GAAS(100)
SUBSTRATE
Ultrafast kerr rotations and zero-field dephasing time of electron spins in inas/gaas quantum disks
期刊论文
iSwitch采集
Physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 47, 页码: 4793-4796
作者:
Ning, J. Q.
;
Xu, S. J.
;
Wei, Z. F.
;
Ruan, X. Z.
;
Ji, Yang
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Optical kerr effect
Electron spin
Quantum disks
Inas/gaas
Formation trends of ordered self-assembled nanoislands on stepped substrates
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073512
Liang S (Liang S.)
;
Zhu HL (Zhu H. L.)
;
Kong DH (Kong D. H.)
;
Wang W (Wang W.)
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/14
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
INAS QUANTUM DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
SURFACES
ISLANDS
GROWTH
FABRICATION
MIGRATION
ARRAYS
Different growth mechanisms of bimodal In As/GaAs QDs
期刊论文
OAI收割
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 308-311
作者:
Ye XL
;
Zhou XL
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浏览/下载:44/3
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提交时间:2011/07/05
INAS QUANTUM DOTS
GAAS(001)
RELAXATION
TRANSITION
GAAS
The refractive nonlinearities of InAs/GaAs quantum dots above-bandgap energy
期刊论文
OAI收割
optics communications, OPTICS COMMUNICATIONS, 2010, 2010, 卷号: 283, 283, 期号: 7, 页码: 1510-1513, 1510-1513
作者:
Huang X
;
Zhang XH
;
Zhu YG
;
Li T
;
Han LF
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提交时间:2010/04/22
InAs quantum dots
Inas Quantum Dots
Nonlinear Refraction
Reflection Z-scan
Reflection Z-scan
Optical Nonlinearities
2-photon Absorption
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Nonlinear refraction
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