中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
半导体研究所 [84]
物理研究所 [5]
上海微系统与信息技术... [2]
上海技术物理研究所 [2]
力学研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [69]
iSwitch采集 [25]
内容类型
期刊论文 [83]
学位论文 [6]
会议论文 [4]
成果 [1]
发表日期
2018 [1]
2016 [1]
2015 [1]
2012 [2]
2011 [1]
2010 [6]
更多
学科主题
半导体材料 [28]
半导体物理 [22]
光电子学 [7]
Electroche... [1]
半导体化学 [1]
半导体器件 [1]
更多
筛选
浏览/检索结果:
共94条,第1-10条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
回音壁模式微腔与半导体量子点耦合的研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2018
作者:
岳鹏毅
  |  
收藏
  |  
InAs/GaAs单量子点荧光效率的提高及波长的调谐
学位论文
OAI收割
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
苏丹
收藏
  |  
流体静压原位调谐InAs/GaAs单量子点激子光学性质
学位论文
OAI收割
博士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2015, 2015
作者:
武雪飞
  |  
收藏
  |  
III-V族化合物半导体微结构红外探测器研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
  |  
收藏
  |  
Si基III-V族半导体异质兼容低维材料的分子束外延生长
学位论文
OAI收割
博士, 北京, 北京: 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院, 2012, 2012
作者:
贺继方
  |  
收藏
  |  
Carrier tunneling effects on the temperature dependent photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot: Simulation and experiment
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 8, 页码: article no.83501
作者:
Zhou GY
;
Zhang HY
;
Xu B
;
Ye XL
收藏
  |  
Ultrafast kerr rotations and zero-field dephasing time of electron spins in inas/gaas quantum disks
期刊论文
iSwitch采集
Physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 47, 页码: 4793-4796
作者:
Ning, J. Q.
;
Xu, S. J.
;
Wei, Z. F.
;
Ruan, X. Z.
;
Ji, Yang
收藏
  |  
Formation trends of ordered self-assembled nanoislands on stepped substrates
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073512
Liang S (Liang S.)
;
Zhu HL (Zhu H. L.)
;
Kong DH (Kong D. H.)
;
Wang W (Wang W.)
收藏
  |  
Different growth mechanisms of bimodal In As/GaAs QDs
期刊论文
OAI收割
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 308-311
作者:
收藏
  |  
The refractive nonlinearities of InAs/GaAs quantum dots above-bandgap energy
期刊论文
OAI收割
optics communications, OPTICS COMMUNICATIONS, 2010, 2010, 卷号: 283, 283, 期号: 7, 页码: 1510-1513, 1510-1513
作者:
Huang X
;
Zhang XH
;
Zhu YG
;
Li T
;
Han LF
  |  
收藏
  |