机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [5]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2011 [1]
• 2006 [1]
• 2004 [1]
• 2003 [1]
• 2001 [2]

学科主题

• 半导体材料 [4]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575 作者:  Xu B;  Jin P;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：75/1  |  提交时间：2011/07/05 Atom force microscopy  Nanostructures  Molecular-beam epitaxy  Nanomaterials  Semiconducting gallium arsenide  QUANTUM-DOTS  ANODIC ALUMINA  ARRAYS  PLACEMENT  INAS   Surface morphology evolution of strained InAs/GaAs(331)a films 会议论文  OAI收割 2nd asian conference on nanoscience and nanotechnology, beijing, peoples r china, nov 24-27, 2004 Gong, M (Gong, Meng); Fang, ZD (Fang, Zhidan); Miao, ZH (Miao, Zhenhua); Niu, ZC (Niu, Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：140/36  |  提交时间：2010/03/29 surface morphology evolution  InAs nanostructures  island-pit pairs  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM DOTS  COOPERATIVE NUCLEATION  HETEROEPITAXY  TRANSITION  ISLANDS  GROWTH   Semiconductor nanometer structures and devices 期刊论文  iSwitch采集 Journal of the korean physical society, 2004, 卷号: 45, 页码: S877-s880 作者:  Wang, ZG;  Wu, J 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas/ingaas  Molecular beam epitaxy  Nanostructures  Quantum dot   Controllable growth of semiconductor nanometer structures 期刊论文  OAI收割 microelectronics journal, 2003, 卷号: 34, 期号: 5-8, 页码: 379-382 Wang ZG; Wu J 收藏  |  浏览/下载：301/9  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  nanostructures  INAS QUANTUM DOTS  SELF-ORGANIZATION  MONOLAYER COVERAGE  DENSITY  GAAS  ISLANDS  INP(001)  EPITAXY   Optical properties of InGaAs quantum dots formed on InAlAs wetting layer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 224, 期号: 1-2, 页码: 41-46 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：89/2  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  ELECTRON-PHONON INTERACTIONS  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS  CARRIER TRANSFER  INAS  GAAS  LASERS  ISLANDS  GROWTH  GAIN   Changing the size and shape of Ge island by chemical etching 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 1-2, 页码: 17-21 Gao F; Huang CJ; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：186/52  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  etching  nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting germanium  semiconducting silicon  QUANTUM DOTS  INAS  GROWTH  STRAIN