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Analysis of InGaAs/InP Single Photon Avalanche Diodes With Multiplication Width in Sub-Micron
期刊论文
OAI收割
IEEE Journal of Quantum Electronics, 2024, 卷号: 60, 期号: 4, 页码: 1-7
作者:
Qiao, Kai
;
Chang, Yu
;
Xu, Zefang
;
Yin, Fei
;
Liu, Liyu
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2024/09/02
InGaAs/InP
single-photon avalanche photodiodes (SPADs)
time jitter
multiplication
Zn扩散对InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管雪崩击穿概率的影响
期刊论文
OAI收割
光子学报, 2023, 卷号: 52, 期号: 6
作者:
郭可飞
;
尹飞
;
刘立宇
;
乔凯
;
李鸣
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2023/11/03
雪崩光电二极管
InGaAs/InP
Zn扩散
单光子探测
雪崩击穿概率
Observation of sunspots at He I 10830 angstrom using a low-noise InGaAs infrared detector
会议论文
OAI收割
Nantong, PEOPLES R CHINA, 2022-09-17
作者:
Sun, Bai-Cheng
;
Xiang, Yong-Sheng
;
Fan, Ming-Guo
;
Gong, Xiao-Xia
;
Wang B(王斌)
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2023/07/17
He I 10830 angstrom
InGaAs
Detector
Flat Field
Sunspot monochromatic image
InGaAs/InP 单光子雪崩光电二极管阵列器件设计与制备
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2023
作者:
郭可飞
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提交时间:2023/07/26
单光子探测
单光子雪崩光电二极管阵列
InGaAs/InP
Zn 扩散
雪崩击穿概率
用于天文观测的InGaAs近红外探测器性能测试方法
期刊论文
OAI收割
红外与毫米波学报/Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2022, 卷号: 41, 期号: 06, 页码: 1002-1008
作者:
孙佰成
;
郭杰
;
许方宇
;
范明国
;
龚晓霞
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提交时间:2023/01/23
红外天文
InGaAs红外探测器
转换因子
读出噪声
暗电流
一种引力波探测用高灵敏度四象限光电探测器
期刊论文
OAI收割
半导体光电, 2021, 卷号: 42, 期号: 02, 页码: 174-178
作者:
崔大健
;
李星海
;
余沛玥
;
陈扬
;
任丽
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提交时间:2021/08/25
四象限光电探测器
引力波
InGaAs PIN
等效噪声功率密度
跨阻放大器
Ambipolar transport in Ni-catalyzed InGaAs nanowire field-effect transistors for near-infrared photodetection
期刊论文
OAI收割
Nanotechnology, 2021, 卷号: 32, 期号: 14
作者:
Guo,Yanan
;
Liu,Dong
;
Miao,Chengcheng
;
Sun,Jiamin
;
Pang,Zhiyong
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提交时间:2021/03/29
ambipolar transport
field-effect transistors
InGaAs nanowires
CMOS-compatible catalyst
surface state
near-infrared photodetection
Optoelectronic Performance Analysis of Low-Energy Proton Irradiation and Post-Thermal Annealing Effects on InGaAs Solar Cell
期刊论文
OAI收割
FRONTIERS IN PHYSICS, 2020, 卷号: 8, 期号: 11, 页码: 1-7
作者:
Zhuang, Y (Zhuang, Y.)[ 1 ]
;
Aierken, A (Aierken, A.)[ 1 ]
;
Lei, QQ (Lei, Q. Q.)[ 2,3 ]
;
Fang, L (Fang, L.)[ 4 ]
;
Shen, XB (Shen, X. B.)[ 2,3 ]
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提交时间:2021/01/05
InGaAs solar cell
proton irradiation
displacement damage
degradation
annealing
Degradation characteristics of electron and proton irradiated InGaAsP/InGaAs dual junction solar cell
期刊论文
OAI收割
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, 2020, 卷号: 206, 期号: 3, 页码: 1-7
作者:
Zhao, XF (Zhao, X. F.)[ 1 ]
;
Aierken, A (Aierken, A.)[ 1,2 ]
;
Heini, M (Heini, M.)[ 1,3 ]
;
Tan, M (Tan, M.)[ 4 ]
;
Wu, YY (Wu, Y. Y.)[ 4 ]
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提交时间:2020/04/21
InGaAsP/InGaAs solar cell
Electron and proton irradiation
Degradation
Equivalent displacement damage dose model
InGaAs/graphene infrared photodetectors with enhanced responsivity
期刊论文
OAI收割
Materials Research Express, 2019, 卷号: 6, 期号: 11
作者:
Yang,Qi
;
Wu,Qiming
;
Luo,Wei
;
Yao,Wei
;
Yan,Shunya
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提交时间:2019/12/03
graphene
InGaAs
infrared photodetectors
responsivity