机构

• 上海微系统与信息技术... [4]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 会议论文 [2]
• 学位论文 [2]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2008 [2]
• 2006 [1]
• 2005 [1]
• 2003 [1]

学科主题

• 光电子学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 新型结构HBT设计与材料生长研究 学位论文  OAI收割 博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2008 艾立鹍 收藏  |  浏览/下载：115/0  |  提交时间：2012/03/06 异质结双极晶体管（HBT）  　气态源分子束外延（GSMBE）  　GaAs  　InP  　InGaP  　InGaAs  　InGaAsP   A New Edge-Coupled Two-Terminal Double Heterojunction Phototransistor (ECTT-DHPT) and Its DC Characteristics 会议论文  OAI收割 ieee photonicsglobal at singapore, singapore, singapore, dec 08-11, 2008 Wang, LS; Zhao, LJ; Pan, JQ; Zhang, W; Wang, H; Liang, S; Zhu, HL; Wang, W 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/03/09 P-I-N/HBT  WAVE-GUIDE  INP/INGAAS  FREQUENCY  HBT   基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC 会议论文  OAI收割 第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2006 李献杰; 陈晓杰; 徐安怀; 赵永林; 蔡道民; 曾庆明; 蒲运章; 郭亚娜; 王志功; 王蓉; 齐鸣 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2012/01/18 InP InGaAs HBT PIN 光接收OEIC 单片集成 光探测器 外延材料   用于超高密度存储的硅基纳机电探针阵列器件研制 期刊论文  OAI收割 真空科学与技术学报, 2005, 期号: 06 杨尊先; 于映; 李昕欣 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/01/06 InGaAs/InP HBT  δ掺杂层  阻挡层  N~+高掺杂的复合集电极  I-V输出特性   InGaAs/InP HBT的直流特性分析与设计 学位论文  OAI收割 硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2003 陈雷东   收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2012/03/06 InGaAs/InP HBT  复合集电极  δ掺杂  开启电压  I-V输出特性