机构

• 上海硅酸盐研究所 [2]
• 力学研究所 [1]
• 物理研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2019 [1]
• 2018 [1]
• 2013 [1]
• 1998 [2]

学科主题

• Materials ... [1]
• Metallurgy... [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Nanocomposite intermediate layers formed by conversion reaction of SnO2 for Li/garnet/Li cycle stability 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF POWER SOURCES, 2019, 卷号: 420, 页码: 15 作者:  Chen, Yue;  He, Minghui;  Zhao, Ning;  Fu, Jingming;  Huo, Hanyu   |  收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2019/12/26 Garnets  SnO2 intermediate layers  Interface resistance  Conversion reaction  Cycle stability   Cycle stability of lithium/garnet/lithium cells with different intermediate layers 期刊论文  OAI收割 RARE METALS, 2018, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 473, 479 作者:  Zhao, Ning;  Fang, Rui;  He, Ming-Hui;  Chen, Cheng   |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2018/12/28 Solid-state batteries  Garnet electrolytes  Lithium dendrites  Intermediate layers  Interfaces   Experiments on the mechanical behavior of anodically bonded interlayer of Pyrex Glass/Al/Si 会议论文  OAI收割 Beijing, China, June 16, 2013 - June 21, 2013 作者:  Hu YQ;  Zhao YP(赵亚溥)   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/11/08 Accelerometers  Aluminum  Glass  Nanostructures  Tensile strength  Anodic bonding  Bonding temperatures  Dendritic nanostructures  Intermediate layers  MEMS/NEMS  Micro accelerometers  Micro  scale structures  Quasi  static loading   The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484 Wang, LS; Liu, XL; Zan, YD; Wang, D; Lu, DC; Wang, ZG; Wang, YT; Cheng, LS; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/23 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SINGLE CRYSTALLINE GAN  HIGH-QUALITY GAN  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYERS  SI  FILMS  ALN  DEPOSITION  SAPPHIRE   The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484-490 Wang LS; Liu XL; Zan YD; Wang D; Lu DC; Wang ZG; Wang YT; Cheng LS; Zhang Z 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  MOVPE growth  Al2O3 coated Si substrate  crystal structure  photoluminescence spectrum  SINGLE CRYSTALLINE GAN  HIGH-QUALITY GAN  INTERMEDIATE LAYER  BUFFER LAYERS  SI  FILMS  ALN  DEPOSITION  SAPPHIRE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY