机构

• 金属研究所 [4]
• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [5]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2017 [1]
• 2009 [1]
• 2005 [1]
• 2003 [1]
• 2001 [2]

学科主题

• Materials ... [1]
• Physics, A... [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Interpreting radiation-induced segregation and enhanced radiation tolerance of single-phase concentrated solid-solution alloys from first principles 期刊论文  OAI收割 MATERIALS LETTERS, 2017, 卷号: 202, 页码: 120-122 Wang, Xin-Xin; Niu, Liang-Liang; Wang, Shaoqing 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2017/08/17 Simulation and modelling  Microstructure  First principles  Interstitial defects  Single-phase concentrated solid-solution alloy   Ab initio calculation of intrinsic diffusion coefficients for boron in silicon at finite temperatures 期刊论文  OAI收割 European Physical Journal B, 2009, 卷号: 72, 期号: 4, 页码: 567-573 S. Y. Ma; S. Q. Wang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/04/13 interstitial boron  irradiated silicon  point-defects  phosphorus  si  pseudopotentials  dopants   Molecular dynamics studies on vacancy-interstitial annihilation in silicon 期刊论文  OAI收割 Acta Physica Sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 10, 页码: 4827-4835 Y. H. Qiao; S. Q. Wang 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/04/14 molecular dynamics  vacancy and interstitial  diffusion  point-defects  diffusion  mechanisms   Effects of Si and Al on twin boundary energy of TiC 期刊论文  OAI收割 Acta Materialia, 2003, 卷号: 51, 期号: 9, 页码: 2477-2484 R. Yu; L. L. He; H. Q. Ye 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/04/14 carbides  twinning  grain boundary energy  transmission electron  microscopy (TEM)  electronic structure  metal substitutional impurities  electronic-properties  interstitial  alloys  structural defects  crystal   Effect of as interstitial diffusionon on the properties of undoped semi-insulating lecgaas 期刊论文  iSwitch采集 Rare metals, 2001, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 187-191 作者:  Yang, RX;  Zhang, FQ;  Chen, NF 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Semi-insulating gaas  Intrinsic acceptor defects  As interstitial indiffusion  As pressure  Annealing   Effect of as interstitial diffusionon on the properties of undoped semi-insulating LECGaAs 期刊论文  OAI收割 rare metals, 2001, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 187-191 Yang RX; Zhang FQ; Chen NF 收藏  |  浏览/下载：102/3  |  提交时间：2010/08/12 semi-insulating GaAs  intrinsic acceptor defects  As interstitial indiffusion  As pressure  annealing  SEMIINSULATING GAAS