机构

• 近代物理研究所 [6]
• 高能物理研究所 [2]
• 半导体研究所 [2]
• 物理研究所 [1]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [11]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [10]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2019 [1]
• 2013 [4]
• 2011 [1]
• 2010 [1]
• 2009 [2]
• 2005 [1]
• 更多

学科主题

• Instrument... [1]
• Nuclear Sc... [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共12条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Damage and recovery behavior of 4H-SiC implanted with He ions 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2019, 卷号: 449, 页码: 54-57 作者:  Zhang, Chonghong;  Yang, Yitao;  Su, Changhao;  Ding, Zhaonan;  Song, Yin   |  收藏  |  浏览/下载：111/0  |  提交时间：2019/11/10 4H-SiC  He ions implantation  Nanoindentation  Raman  Graphite  Thermal annealing   Temperature dependent defects evolution and hardening of tungsten induced by 200 keV He-ions 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2013, 卷号: 307, 页码: 507-511 作者:  Cui, M. H.;  Wang, Z. G.;  Pang, L. L.;  Shen, T. L.;  Yao, C. F.   |  收藏  |  浏览/下载：166/0  |  提交时间：2018/07/05 Positron Annihilation Spectroscopy  Nano-indentation  He-ions Implantation   Temperature dependent defects evolution and hardening of tungsten induced by 200 keV He-ions 会议论文  OAI收割 作者:  Cui, M. H.;  Wang, Z. G.;  Pang, L. L.;  Shen, T. L.;  Yao, C. F.   |  收藏  |  浏览/下载：168/0  |  提交时间：2018/08/20 Positron annihilation spectroscopy  Nano-indentation  He-ions implantation   Temperature dependent defects evolution and hardening of tungsten induced by 200 keV He-ions 会议论文  OAI收割 作者:  Cui, M. H.;  Wang, Z. G.;  Pang, L. L.;  Shen, T. L.;  Yao, C. F.   |  收藏  |  浏览/下载：170/0  |  提交时间：2018/08/20 Positron annihilation spectroscopy  Nano-indentation  He-ions implantation   Temperature dependent defects evolution and hardening of tungsten induced by 200 keV He-ions 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2013, 卷号: 307, 页码: 507-511 作者:  Cui, MH;  Wang, ZG;  Pang, LL;  Shen, TL;  Yao, CF 收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2016/04/08 Positron annihilation spectroscopy  Nano-indentation  He-ions implantation   Raman investigation of incident N-, Xe-ions induced effects in ZnO thin films 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2011, 卷号: 269, 页码: 837-841 作者:  Zhu Yabin;  Ma Yizhun;  Shen Tielong;  Yao Cunfeng;  Sun Jianrong   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/05/31 ZnO films  Ions implantation/irradiation  Raman spectra   Enhanced nucleation of Ag nanoparticles by vacancy-type defects in Ar-ions implanted spinel 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2010, 卷号: 268, 期号: 24, 页码: 3529-3532 作者:  Li, Bingsheng;  Zhang, Chonghong;  Yang, Yitao;  Jia, Xiujun;  Xu, Chaoliang   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2011/04/20 Metal nanoparticles  Ions implantation  Surface plasmon resonance  Positron annihilation   Raman scattering study on ga1-xmnxas prepared by mn ions implantation, deposition and post-annealing 期刊论文  iSwitch采集 Crystal research and technology, 2009, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 215-220 作者:  Islam, M. R.;  Chen, N. F.;  Yamada, M. 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Raman scattering  Ferromagnetic  Semiconductor  Gamnas  Mn ions implantation  Deposition   Raman scattering study on Ga1-xMnxAs prepared by Mn ions implantation, deposition and post-annealing 期刊论文  OAI收割 crystal research and technology, 2009, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 215-220 Islam MR; Chen NF; Yamada M 收藏  |  浏览/下载：234/44  |  提交时间：2010/03/08 Raman scattering  ferromagnetic  semiconductor  GaMnAs  Mn ions implantation  deposition   Change of sheet resistance of high purity alumina ceramics implanted by Cu and Ti ions 期刊论文  OAI收割 Applied Surface Science, 2005, 卷号: 252, 期号: 4, 页码: 1029-1034 D. X. Li; J. Z. Zhang; M. Yu; J. C. Kang; W. Z. Li 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/04/14 99% Al2O3  ion implantation  copper and titanium ions  sheet resistance  nitride films  behavior  crystals