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期刊论文 [5]
会议论文 [1]
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半导体材料 [1]
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Effect of Charge Redistribution on the Thermal-Expansion Behaviors in III-V Semiconductors
期刊论文
OAI收割
Journal of the Physical Society of Japan, 2009, 卷号: 78, 期号: 2
S. Q. Wang
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提交时间:2012/04/13
thermal-expansion coefficient
III-V semiconductor
first-principles
calculation
lattice dynamics
phonon dispersion
polarity
dynamic
effective charge
space gaussian pseudopotentials
ab-initio
gruneisen parameters
diamond
model
bond
solids
bas
electronegativity
crystals
Scanning tunneling microscopy studies of III-nitride thin film heteroepitaxial growth
期刊论文
OAI收割
PHYSICS-USPEKHI, 2004, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 371
Bakhtizin, RZ
;
Xue, QZ
;
Xue, QK
;
Wu, KH
;
Sakurai, T
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提交时间:2013/09/24
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION
COVERED GAN(0001) SURFACES
LIGHT-EMITTING DIODES
CUBIC GAN
ATOMIC-STRUCTURE
GAN(000(1)OVER-BAR) SURFACE
LATTICE POLARITY
SINGLE-CRYSTALS
SILICON-CARBIDE
High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE
会议论文
OAI收割
symposium on gan and related alloys held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02-06, 2002
Wang JX
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hu GX
;
Liu HX
;
Lin LY
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提交时间:2010/10/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ION-SCATTERING SPECTROSCOPY
LATTICE POLARITY
SINGLE-CRYSTALS
FILMS
POLARIZATION
GAN(0001)
SURFACES
GROWTH
DIODES
Surface superstructures and optical properties of wurtzite GaN grown on 6H-SiC
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 229, 期号: 1, 页码: 41
Xue, QK
;
Xue, QZ
;
Kuwano, S
;
Nakayama, K
;
Sakurai, T
;
Tsong, IST
;
Qiu, XG
;
Segawa, Y
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提交时间:2013/09/24
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY
LATTICE POLARITY
ATOMIC-STRUCTURE
RECONSTRUCTION
FILMS
GAN(0001)
DIFFRACTION
MORPHOLOGY
LAYERS
Imaging wurtzite GaN surfaces by molecular beam epitaxy-scanning tunneling microscopy
期刊论文
OAI收割
THIN SOLID FILMS, 2000, 卷号: 367, 期号: 1-2, 页码: 149
Xue, QK
;
Xue, QZ
;
Kuwano, S
;
Sakurai, T
;
Ohno, T
;
Tsong, IST
;
Qiu, XG
;
Segawa, Y
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提交时间:2013/09/17
ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION
6H-SIC(0001) SURFACES
ATOMIC-STRUCTURE
GAN(0001) SURFACES
LATTICE POLARITY
0001 SURFACES
LASER-DIODES
GROWTH
RECONSTRUCTION
MORPHOLOGY
Structures of GaN(0001)-(2x2), -(4x4), and -(5x5) surface reconstructions
期刊论文
OAI收割
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 1999, 卷号: 82, 期号: 15, 页码: 3074
Xue, QK
;
Xue, QZ
;
Bakhtizin, RZ
;
Hasegawa, Y
;
Tsong, IST
;
Sakurai, T
;
Ohno, T
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提交时间:2013/09/24
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY
ENERGY ELECTRON-DIFFRACTION
LATTICE POLARITY
0001 SURFACES
GAN GROWTH
AB-INITIO
STOICHIOMETRY
6H-SIC(0001)
LAYERS