机构

• 物理研究所 [3]
• 半导体研究所 [2]
• 合肥物质科学研究院 [1]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2018 [1]
• 2014 [1]
• 2004 [1]
• 2003 [1]
• 1991 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Interface Modulation and Optimization of Electrical Properties of HfGdO/GaAs Gate Stacks by ALD-Derived Al2O3 Passivation Layer and Forming Gas Annealing 期刊论文  OAI收割 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2018, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 9 作者:  Jiang, Shanshan;  He, Gang;  Liu, Mao;  Zhu, Li;  Liang, Shuang   |  收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2019/06/10 electrical properties  forming gas annealing  high-k gate dielectrics  interface chemistry  metal-oxide-semiconductor capacitors   Simple Way to Engineer Metal-Semiconductor Interface for Enhanced Performance of Perovskite Organic Lead Iodide Solar Cells 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2014, 卷号: 6, 期号: 8, 页码: 5651 Xu, YZ; Shi, JJ; Lv, ST; Zhu, LF; Dong, J; Wu, HJ; Xiao, Y; Luo, YH; Wang, SR; Li, DM; Li, XG; Meng, QB 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2015/04/14 N  perovskite solar cell  metal-semiconductor (M-S) interface  modification  N  N '  N '-tetraphenyl-benzidine (TPB)   Ce/GaN(0001) interfacial formation and electronic properties 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: 943 Xiao, WD; Guo, QL; Wang, EG 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2013/09/17 METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACE  WURTZITE GAN SURFACES  SCHOTTKY CONTACTS  BARRIER HEIGHTS  GROWTH  FILMS  GAN(0001)-(1X1)  SI(111)  STATES  CE   Magnetic properties and rectifying behaviour of silicon doped with gadolinium 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 1469-1473 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 magnetic semiconductor  magnetic p-n junction  ion beam epitaxy  gadolinium silicides  METAL-INSULATOR-TRANSITION  P-N-JUNCTION  INDUCED FERROMAGNETISM  SI/SIER INTERFACE  BEAM EPITAXY  SEMICONDUCTORS  EXCITATION  MAGNETORESISTANCE  ALLOYS   CERIUM SILICIDE FORMATION IN THIN CE SI MULTILAYER FILMS 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS, 1991, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 998 HSU, CC; HO, J; QIAN, JJ; WANG, YT 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/09/17 METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACE  SI(111)  LA   CERIUM SILICIDE FORMATION IN THIN CE SI MULTILAYER FILMS 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology a-vacuum surfaces and films, 1991, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 998-1001 HSU CC; HO J; QIAN JJ; WANG YT 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/11/15 METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACE  SI(111)  LA