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Growth process and mechanism of SiC layer deposited by CVD method at normal atmosphere 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF THE EUROPEAN CERAMIC SOCIETY, 2019, 卷号: 39, 期号: 15, 页码: 4495-4500
作者:  
Yang, X;  Zhang, F;  You, Y;  Guo, MS;  Zhong, YJ
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A Facile and Efficient Approach to N-Protected-beta-Sulfinylenamines via C-Sulfinylation of Enamides and Enecarbamates 期刊论文  OAI收割
ADVANCED SYNTHESIS & CATALYSIS, 2010, 卷号: 352, 期号: 11-12, 页码: 1876-1880
作者:  
Li, Yinhui
  |  收藏  |  浏览/下载:26/0  |  提交时间:2011/07/08
Chemical vapor deposition of SiC at different molar ratios of hydrogen to methyltrichlorosilane 期刊论文  OAI收割
JOURNAL OF CENTRAL SOUTH UNIVERSITY OF TECHNOLOGY, 2009, 卷号: 16, 期号: 5, 页码: 730-737
作者:  
Yang Yan;  Zhang Wei-gang
收藏  |  浏览/下载:34/0  |  提交时间:2013/11/29