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	高k材料Ta_2O_5结构与电学性质的研究期刊论文 OAI收割功能材料, 2011, 期号: 07 陈息林; 余涛; 吴雪梅; 董尧君; 诸葛兰剑收藏 \| 浏览/下载：46/0 \| 提交时间：2012/04/13 高k栅介质 Ta2O5 MOSFET器件微结构电学性质
	电化学腐蚀中多孔硅边缘效应的研究期刊论文 OAI收割传感器与微系统, 2010, 期号: 10 张圣; 焦继伟; 葛道晗; 顾佳晔; 严培力; 张颖收藏 \| 浏览/下载：76/0 \| 提交时间：2012/01/06 高K栅介质 HfO_2 Hf基高K栅介质材料 MOSFET器件
	星用功率MOSFET器件单粒子烧毁试验研究期刊论文 OAI收割原子能科学技术, 2008, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 5，1125-1129 作者: 薛玉雄; 陆江; 蔡小五; 刘刚; 杨世宇 \| 收藏 \| 浏览/下载：26/0 \| 提交时间：2010/05/27 功率mosfet器件单粒子烧毁锎源
	新型纳米尺寸MOSFET器件的模拟和设计期刊论文 OAI收割红外, 2007, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 7-11 作者: 胡伟达; 陈效双; 全知觉 \| 收藏 \| 浏览/下载：25/0 \| 提交时间：2011/08/30 器件模拟数值方法 Mosfet Finfet 短沟道效应