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上海微系统与信息技术... [2]
微电子研究所 [1]
上海技术物理研究所 [1]
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高k材料Ta_2O_5结构与电学性质的研究
期刊论文
OAI收割
功能材料, 2011, 期号: 07
陈息林
;
余涛
;
吴雪梅
;
董尧君
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诸葛兰剑
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/04/13
高k栅介质
Ta2O5
MOSFET器件
微结构
电学性质
电化学腐蚀中多孔硅边缘效应的研究
期刊论文
OAI收割
传感器与微系统, 2010, 期号: 10
张圣
;
焦继伟
;
葛道晗
;
顾佳晔
;
严培力
;
张颖
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2012/01/06
高K栅介质
HfO_2
Hf基高K栅介质材料
MOSFET器件
星用功率MOSFET器件单粒子烧毁试验研究
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2008, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 5,1125-1129
作者:
薛玉雄
;
陆江
;
蔡小五
;
刘刚
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杨世宇
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收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/05/27
功率mosfet器件
单粒子烧毁
锎源
新型纳米尺寸MOSFET器件的模拟和设计
期刊论文
OAI收割
红外, 2007, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 7-11
作者:
胡伟达
;
陈效双
;
全知觉
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收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2011/08/30
器件模拟
数值方法
Mosfet
Finfet
短沟道效应
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