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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Interfaces of c-axis oriented ZnO thin films on MgO (001) substrates 期刊论文  OAI收割 Thin Solid Films, 2014, 卷号: 558, 页码: 237-240 S. B. Mi 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/07/03 Interfaces  Electron microscopy  Thin films  Defects  Pulse laser  deposition  Zinc oxide  molecular-beam epitaxy  electron-gas  growth  heterostructures  fabrication  defects   Temperature dependent lasing characteristics of InAs/InP(100) quantum dot laser 期刊论文  OAI收割 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2012, 卷号: 15, 期号: 1, 页码: 86-90 Li, SG; Gong, Q; Cao, CF; Wang, XZ; Chen, P; Yue, L; Liu, QB; Wang, HL; Ma, CH 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/04/17 Semiconductor laser  Quantum dot laser  Indium phosphide  Gas source molecular beam epitaxy   Improved half-metallic ferromagnetism of transition-metal pnictides and chalcogenides calculated with a modified Becke-Johnson exchange potential 期刊论文  OAI收割 EPL, 2011, 卷号: 93, 期号: 4 Guo, SD; Liu, BG 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2013/09/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ZINCBLENDE MNAS  BAND-STRUCTURE  ELECTRON-GAS  SEMICONDUCTORS  APPROXIMATION  INSULATORS  GAAS   GaInP-AlInP-GaAs Blue Photovoltaic Detectors With Narrow Response Wavelength Width 期刊论文  OAI收割 IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2010, 卷号: 22, 期号: 12, 页码: 944-946 Zhang, YG(张永刚）; Li, C; Gu, Y; Wang, K; Li, HSBY; Shao, XM; Fang, JX 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 GAS-SOURCE MBE  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Room temperature mobility above 2100 cm2/Vs in Al0.3Ga0.7N/AIN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates by MOCVD 会议论文  OAI收割 32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005 Wang, XL; Wang, CM; Hu, GX; Wang, JX; Li, JP 收藏  |  浏览/下载：157/51  |  提交时间：2010/03/29 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS  BULK GAN  OPTIMIZATION  LAYERS  HEMTS   GSMBE growth and characterizations of AlInP/InGaAsP strain-compensated multiple-layer heterostructures 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 281, 期号: 2-4, 页码: 255-262 Huang, ZC; Wu, HZ; Lao, YF; Cao, M; Liu, C 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/03/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  GAS-SOURCE MBE  MISFIT DISLOCATIONS  LASERS  INP  DEFECTS   Half-metallic ferromagnetism in transition metal pnictides and chalcogenides with wurtzite structure 期刊论文  OAI收割 PHYSICAL REVIEW B, 2003, 卷号: 68, 期号: 13 Xie, WH; Liu, BG; Pettifor, DG 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/09/17 BAND-STRUCTURE CALCULATIONS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MAGNETIC-PROPERTIES  ZINCBLENDE MNAS  ELECTRON-GAS  SPIN  TEMPERATURE  CRSB  FE3O4  FILMS   InGaAs/InGaAsP microdisk lasers grown by GSMBE (EI CONFERENCE) 会议论文  OAI收割 11th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, September 11, 2000 - September 15, 2000, Bijing, China Wu G.; Wang X. H.; Zheng Q.; Ren D. C.; Zhang X. D. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/03/25 Optical resonance modes have been observed in optically pumped microdisk cavities fabricated from 80 A/50 A InGaAs/InGaAsP multiple quantum wells structures grown by gas-source molecular beam epitaxy. We have achieved optically pumped InGaAs/InGaAsP multiquantum wells microdisk lasers at a pump power threshold of Pth = 150 W at pump wavelength = 514.5 nm  which was measured for a 10 m-diameter disk with lasing emission wavelength near = 1.6 m. 2001 Elsevier Science B.V.   Gas source molecular beam epitaxy and thermal stability of si1-xgex/si superlattice materials 期刊论文  iSwitch采集 Revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 页码: 93-96 作者:  Zou, LF;  Acosta-Ortiz, SE;  Zou, LX;  Regalado, LE;  Sun, DZ 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Gas source molecular beam epitaxy  Thermal stability  Si1-xgex   High-concentration hydrogen in unintentionally doped gan 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 189, 页码: 566-569 作者:  Zhang, JP;  Wang, XL;  Sun, DZ;  Li, XB;  Kong, MY 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium nitride  Gas source molecular beam epitaxy  Hydrogen  Autodoping