机构

• 物理研究所 [5]
• 宁波材料技术与工程研... [5]
• 计算技术研究所 [4]
• 化学研究所 [4]
• 上海微系统与信息技术... [4]
• 长春应用化学研究所 [4]
• 更多

采集方式

• OAI收割 [30]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [30]
• 外文期刊 [1]

发表日期

• 2024 [1]
• 2021 [1]
• 2020 [2]
• 2019 [4]
• 2018 [2]
• 2017 [1]
• 更多

学科主题

• Physics [2]
• Applied [1]
• Chemistry [1]
• Nanoscienc... [1]
• Physics, A... [1]
• Physics, M... [1]
• 更多

筛选

浏览/检索结果: 共31条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GAS: General-Purpose In-Memory-Computing Accelerator for Sparse Matrix Multiplication 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTERS, 2024, 卷号: 73, 期号: 6, 页码: 1427-1441 作者:  Zhang, Xiaoyu;  Li, Zerun;  Liu, Rui;  Chen, Xiaoming;  Han, Yinhe   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2024/12/06 Sparse matrices  FeFETs  Computer architecture  Arrays  Nonvolatile memory  Microprocessors  Vectors  Sparse matrix multiplication  in-memory computing  SpMV  SpMSpV  SpMM  SpMSpM   Co-Active: A Workload-Aware Collaborative Cache Management Scheme for NVMe SSDs 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON PARALLEL AND DISTRIBUTED SYSTEMS, 2021, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 1437-1451 作者:  Sun, Hui;  Dai, Shangshang;  Huang, Jianzhong;  Qin, Xiao   |  收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2021/12/01 Time factors  Nonvolatile memory  Memory management  Parallel processing  Sun  Protocols  Degradation  Cache management  NAND flash  solid state disks  proactive write back   Enabling Secure NVM-Based in-Memory Neural Network Computing by Sparse Fast Gradient Encryption 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON COMPUTERS, 2020, 卷号: 69, 期号: 11, 页码: 1596-1610 作者:  Cai, Yi;  Chen, Xiaoming;  Tian, Lu;  Wang, Yu;  Yang, Huazhong   |  收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2020/12/10 Artificial neural networks  Nonvolatile memory  Encryption  Computational modeling  Hardware  Non-volatile memory (NVM)  compute-in-memory (CIM)  neural network  security  encryption   A comprehensive investigation of MoO3 based resistive random access memory 期刊论文  OAI收割 RSC ADVANCES, 2020, 卷号: 10, 期号: 33, 页码: 19337-19345 作者:  Fatheema, Jameela;  Shahid, Tauseef;  Mohammad, Mohammad Ali;  Islam, Amjad;  Malik, Fouzia   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2020/12/16 SWITCHING CHARACTERISTICS  NONVOLATILE MEMORY  LOW-POWER  PERFORMANCE  MECHANISMS  SUBSTRATE  DEVICES  RRAM   Ferroelectric FETs-Based Nonvolatile Logic-in-Memory Circuits 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2019, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 159-172 作者:  Chen, Xiaoming;  Niemier, Michael;  Hu, Xiaobo Sharon;  Yin, Xunzhao   |  收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2019/04/03 Ferroelectric FET (FeFET)  logic-in-memory (LiM)  nonvolatile (NV) memory   Redox gated polymer memristive processing memory unit 期刊论文  OAI收割 NATURE COMMUNICATIONS, 2019, 卷号: 10 作者:  Zhang, Bin   |  收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2019/12/18 NONVOLATILE RESISTIVE MEMORY  TERMINATED HYPERBRANCHED POLYIMIDE  FERROCENE DERIVATIVES  RECENT PROGRESS  DEVICE  TRIPHENYLAMINE  FUTURE  STATE   Organic and hybrid resistive switching materials and devices 期刊论文  OAI收割 CHEMICAL SOCIETY REVIEWS, 2019, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: 1531-1565 作者:  Gao, Shuang;  Yi, Xiaohui;  Shang, Jie;  Liu, Gang;  Li, Run-Wei   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/12/18 NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE  FLEXIBLE NONVOLATILE MEMORY  SINGLE-ATOM SUBSTITUTION  GRAPHENE QUANTUM DOTS  THIN-FILMS  CONJUGATED-POLYMER  MEMRISTIVE DEVICES  HALIDE PEROVSKITES  CARBON NANOTUBES  FACILE SYNTHESIS   Recommended Methods to Study Resistive Switching Devices 期刊论文  OAI收割 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 1 作者:  Lanza, Mario;  Wong, H-S Philip;  Pop, Eric;  Ielmini, Daniele;  Strukov, Dimitri   |  收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2019/12/18 HEXAGONAL BORON-NITRIDE  ALIGNED CARBON NANOTUBES  SPICE COMPACT MODEL  NONVOLATILE MEMORY  RRAM DEVICES  THIN-FILM  DIELECTRIC-BREAKDOWN  MEMRISTIVE BEHAVIOR  PHYSICAL MODEL  NANOSCALE   Quenching of Spin Polarization Switching in Organic Multiferroic Tunnel Junctions by Ferroelectric "Ailing-Channel" in Organic Barrier 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 36, 页码: 30614-30622 作者:  Desfeux, Rachel;  Li, Xiaoguang;  Migot, Sylvie;  Chaudhuri, Debapriya;  Yang, Hongxin   |  收藏  |  浏览/下载：189/0  |  提交时间：2018/12/04 Nonvolatile Memory  Spinterface  Valves  Films  Semiconductors  Storage  Polymer  Devices   Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device 期刊论文  OAI收割 Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822 作者:  Chen, Y. R.;  Li, Z. M.;  Zhang, Z. W.;  Hu, L. Q.;  Jiang, H.   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/09/17 Data storage materials  Resistive switching  Metal-insulator-semiconductor  Annealing effect  Nonvolatile memory  nonvolatile memory  behaviors  mechanism  breakdown  layer  power  ti  Chemistry  Materials Science  Metallurgy & Metallurgical Engineering