机构

• 半导体研究所 [2]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2013 [1]
• 2002 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Compositionally undulating step-graded InAsyP1-y buffer layer growth by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 363, 期号: 0, 页码: 44-48 作者:  Ji, L(季莲);  Zhao, YM(赵勇明);  Yang, H(杨辉);  Dong, JR(董建荣);  Lu, SL(陆书龙) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2014/01/09 Organometallic vapor phase epitaxy   Strain relaxation of inp film directly grown on gaas patterned compliant substrate 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 71-76 作者:  Zhang, ZC;  Yang, SY;  Zhang, FQ;  Li, DB;  Chen, YH 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Dislocation  Strain  Molecular beam epitaxy  Organometallic vapor phase epitaxy  Semiconductor iii-v materials   Strain relaxation of InP film directly grown on GaAs patterned compliant substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 71-76 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 dislocation  strain  molecular beam epitaxy  organometallic vapor phase epitaxy  semiconductor III-V materials  CRITICAL THICKNESS  HETEROEPITAXIAL GROWTH  LAYERS  OXIDATION  EPITAXY