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浏览/检索结果: 共31条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 全无机钙钛矿CVD制备方法及光电器件的研制 学位论文  OAI收割 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019 作者:  田灿灿   |  收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2020/08/24 化学气相沉积  全无机钙钛矿  光电探测器  自驱动  热稳定性  p-i-n结构  Schottky接触   Dramatically enhanced photoelectrochemical properties and transformed p/n type of g-C3N4 caused by K and I co-doping 期刊论文  OAI收割 ELECTROCHIMICA ACTA, 2019, 卷号: 297, 页码: 488-496 作者:  Jing, Jiangping;  Chen, Zhuoyuan;  Feng, Chang   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/08/27 Graphitic carbon nitride p/n type  Fermi level  K&I co-doping  Photoelectrochemical performance   Room-Temperature and Aqueous Solution-Processed Two-Dimensional TiS2 as an Electron Transport Layer for Highly Efficient and Stable Planar n-i-p Perovskite Solar Cells 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2018, 卷号: 10, 期号: 17, 页码: 14796-14802 作者:  Huang, Peng;  Yuan, Ligang;  Zhang, Kaicheng;  Chen, Qiaoyun;  Zhou, Yi   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/04/09 Planar N-i-p Perovskite Solar Cells  Uvo-treated 2d Tis2  Electron Transport Layer  Room-temperature And Aqueous Solution Processed   The Influence of n-AlGaN Inserted Layer on the Performance of Back-Illuminated AlGaN-Based p-i-n Ultraviolet Photodetectors 期刊论文  OAI收割 Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2018, 卷号: 215, 期号: 2, 页码: 5 作者:  Chen, Y. R.;  Zhang, Z. W.;  Li, Z. M.;  Jiang, H.;  Miao, G. Q.   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/09/17 AlGaN  inserted layers  p-i-n structures  ultraviolet photodetectors  suppression  diodes  Materials Science  Physics   High performance back-illuminated MIS structure AlGaN solar-blind ultraviolet photodiodes 期刊论文  OAI收割 Journal of Materials Science-Materials in Electronics, 2018, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 9077-9082 作者:  Han, W. Y.;  Zhang, Z. W.;  Li, Z. M.;  Chen, Y. R.;  Song, H.   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/09/17 p-i-n  photodetectors  template  films  Engineering  Materials Science  Physics   Diblock Copolymer PF-b-PDMAEMA as Effective Cathode Interfacial Material in Polymer Solar Cells 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2017, 卷号: 9, 期号: 49, 页码: 42961-42968 作者:  Yuan, Ligang;  Li, Jie;  Wang, Zhao-wei;  Huang, Peng;  Zhang, Kai-cheng   |  收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2019/04/09 Alcohol Soluble  Diblock Copolymer  P-i-n Polymer Solar Cells  Cathode Interfacial Layer  Pf15-b-pdmaema(75)  Ptb7-th   Water-Soluble 2D Transition Metal Dichalcogenides as the Hole-Transport Layer for Highly Efficient and Stable p-i-n Perovskite Solar Cells 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2017, 卷号: 9, 期号: 30, 页码: 25323-25331 作者:  Huang, Peng;  Wang, Zhaowei;  Liu, Yanfeng;  Zhang, Kaicheng;  Yuan, Ligang   |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/05/02 P-i-n Perovskite Solar Cells  2d Transition Metal Dichalcogenides  Hole-transport Layer  1t Phase  Improved Stability   背照式InGaN紫外探测器的制备与数值模拟 期刊论文  OAI收割 半导体光电, 2017, 期号: 4, 页码: 498-501 作者:  黄波;  许金通;  王玲;  张燕;  李向阳   |  收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2018/11/20 InGaN  p-i-n  紫外探测器  制备  数值模拟   Performance of back-illuminated In0.09Ga0.91N-based p-i-n photodetector 期刊论文  OAI收割 OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2017, 卷号: 49, 期号: 4 作者:  Huang B;  Xu JT;  Wang L;  Zhang Y;  Li XY   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/11/20 InGaN  p-i-n  Ultraviolet photodetector  Simulation  Responsivity   Characteristics of p-i-n diodes basing on displacement damage detector 期刊论文  OAI收割 RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY, 2017, 卷号: 139, 期号: 10, 页码: 11-16 作者:  Sun, J (Sun Jing)[ 1,2 ];  Guo, Q (Guo Qi)[ 1 ];  Yu, X (Yu Xin)[ 1,2 ];  He, CF (He Cheng-Fa)[ 1 ];  Shi, WL (Shi Wei-Lei)[ 1 ]   |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/07/10 Displacement damage  NIEL  P-i-n photodiode  Damage enhancement factor   首页 上一页 1 2 3 4 下一页 末页